固态微波放大器的开发

2.5kW/352MHz无条件稳定的微波固态放大器在意大利Legnaro国家实验室研制成功并通过测试。该放大器由9个350W推挽工作方式的功率模块构成,每个模块采用1个环形器和1个终端电阻作为保护装置。该放大器为独立相位超导直线加速器的中β超导腔提供微波功率而开发,具有高效率、线性度好、可靠性高以及低成本的特点。文章介绍了该放大器的技术特点和测试效果。

利用Agilent矢量网络分析仪PNA-X测试微波固态脉冲高功率放大器

本文介绍了利用Agilent矢量网络分析仪PNA-X针对微波固态脉冲功率放大器的测试。文中简要介绍了PNA-X的系统特点,尤其对其脉冲信号测试的功能进行了描述,比较了以前测试系统与PNA-X的差别。按照微波固态放大器的测试规范,对此放大器进行了关注项的测试,文中列出了部分测试结果并简单进行分析。最后总结了PNA-X在测试微波固态脉冲功率放大器的优势,并提出下一步改善测试的建议。

基于混合环功分/功合网络宽带微波固态功率放大器的设计与实现

本文综合考虑影响合成效率的因素以及工艺精度,设计了一种混合环功分/功合网络,改善了驻波比和幅相特性,保证了良好的合成效率。基于混合环功分/功合网络研制了一款高性能的宽带微波固态功率放大器,在9GHz-17GHz的通带内,实现了46d Bm输出功率,38d B的放大增益。

微波固态放大器在通信事业中的发展

本文介绍了微波固态放大器的发展 ,并列举了邮电部第一研究所典型产品的方框图及其电路特色 ,以与用户和同行共勉。

GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。

星用S频段3W功率放大器设计

文章采用S参数的设计方法,找到场效应管的最佳源阻抗和漏阻抗,随后采用MOMENTUM法对版图进行优化仿真,得到三级微波半导体固态功率放大器。其具有高增益(50dB)、高效率(33%)、非线性特性好且小型化的特点。

毫米波千瓦级固态功率放大器合成技术研究

本文针对毫米波千瓦级固态功率放大器的应用要求,设计了一款带有隔离端的变异型四端口E面波导T型合成器,设计结果显示在34~36 GHz,输入输出端口的回波损耗均小于-20 dB,隔离度优于-20 dB,频带内信号插入损耗小于0.07 dB,幅度不平衡度小于0.04 dB,相位差为(180±0.2)°。基于此T型合成器,采用八路背靠背结构测试,插入损耗小于0.6 dB,波导网络合成效率达到90%。将该结构应用于固态微波功率放大器,在34~36 GHz,测得饱和输出功率为1050~1200 W;线性增益为50~52 dB;漏极效率为22%~25%。