1
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全固源分子束外延1.55μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料 |
何为
郝智彪
任在元
罗毅
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《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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2
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Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长 |
刘金锋
刘忠良
王科范
徐彭寿
汤洪高
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
9
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3
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衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响 |
刘金锋
刘忠良
武煜宇
徐彭寿
汤洪高
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
6
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4
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Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长 |
李利民
唐军
康朝阳
潘国强
闫文盛
韦世强
徐彭寿
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
5
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5
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4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长 |
刘忠良
康朝阳
唐军
徐彭寿
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
5
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6
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硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响 |
刘忠良
任鹏
刘金锋
徐彭寿
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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7
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蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响 |
刘忠良
刘金锋
任鹏
徐彭寿
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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8
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α-Al_2O_3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长 |
康朝阳
刘忠良
唐军
陈香存
徐彭寿
潘国强
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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9
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预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响 |
刘忠良
任鹏
刘金锋
唐军
徐彭寿
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《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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10
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3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究 |
刘忠良
刘金锋
任鹏
李锐鹏
徐彭寿
潘国强
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
6
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11
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不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响 |
刘忠良
唐军
任鹏
刘科
徐彭寿
潘国强
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
5
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12
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6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性 |
刘金锋
刘忠良
任鹏
徐彭寿
陈秀芳
徐现刚
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《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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13
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SiC/Al_2O_3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究 |
刘忠良
康朝阳
唐军
陈香存
徐彭寿
潘国强
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《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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14
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衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响 |
刘忠良
康朝阳
唐军
徐彭寿
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《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2011 |
3
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