光配向PI固烤时间与曝光能量对LCD光学及残影的影响

采用光配向技术使PI获得配向能力并制得IPS型LCD,通过AOI光学自动检测设备以及DMS光学测量系统对在不同PI固烤时间和UV曝光能量下获得样品的预倾角、对比度及穿透率进行了量测,并研究了各条件下样品的残影(Image Sticking)性能。结果显示:在900~2 700s,400~600mJ/cm^2范围内,固烤时间和曝光能量对LCD光学性能影响较小,但对残影性能影响较大,IS随曝光量增大有恶化的趋势,且该趋势在高亚胺化程度下趋于平缓;调整固烤时间及曝光能量可以获得较佳的残影性能,固烤时间1 800s,曝光能量400~500mJ/cm^2条件的LCD残影性能较佳。

热处理时间控制对液晶取向膜预倾角的影响研究

本文采用JSR 25108取向剂完成液晶取向膜的制备,研究了取向剂亚胺化过程中恒温热处理下不同固烤时间对液晶取向膜预倾角的影响,并且对影响机理进行了分析。研究表明,亚胺化程度随固烤时间的延长而增加,但增长趋势减小;液晶取向膜预倾角随着固烤时间的增加而减小。