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利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性 被引量：2
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作者 刘忠立 和致经 +2 位作者 于芳 张永刚 郁元桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期433-436,共4页
ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／Ｓ... ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果． 展开更多
关键词 CMOS/SOS器件 SOI系统 固相外延技术
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