河套盆地吉兰泰地区固阳组烃源岩测井评价

河套盆地临河坳陷固阳组发育一套咸化湖盆烃源岩,总有机碳含量(TOC)评价对认识该区烃源岩特征具有重要意义。通过分析烃源岩的测井响应特征,综合分析总有机碳含量与测井曲线之间的关系,发现研究区烃源岩TOC与电阻率有较明显的正相关关系,与DEN、GR和AC相关关系依次变弱。对于研究区固阳组烃源岩TOC评价来说,多元拟合法预测效果优于Δlg R法及其改进法,同时四元和二元回归公式效果差别不大,仅使用声波时差、电阻率2种测井数据的二元回归公式即可有效评价烃源岩TOC特征,参数易取,且相关系数更高,预测效果更好。

河套盆地临河坳陷石油地质特征及勘探前景

河套盆地历经40余年勘探,近期获得重大突破,松5井在古近系临河组试油获得62.6m3/d工业油流。通过临河坳陷石油地质特征综合研究认为:狼山断裂、杭五断裂、黄河断裂控制了坳陷沉积演化与生烃中心,该坳陷经历了早白垩世拗陷期、新生代断陷期2个沉积演化阶段。发育白垩系固阳组、古近系临河组2套咸水湖相烃源岩,有机质丰度高,以Ⅱ1型及Ⅰ型为主,生烃潜力大,因埋深变化大,低成熟到高、过成熟阶段均有分布。主要发育固阳组、临河组碎屑岩储集层,埋深小于5 000 m的储集层物性较好,在吉西凸起带基岩风化裂隙也有一定的储集能力。勘探发现断块型、断背斜型、基岩裂缝型油藏,为低成熟—成熟原油,来自固阳组及临河组生油岩。研究表明临河坳陷油气资源丰富、勘探潜力大,固阳组及临河组是主要勘探目的层,杭五断裂带、吉西凸起带、北部深凹陷区是有利勘探地区。

河套盆地吉兰泰凹陷烃源岩展布与勘探潜力

河套盆地吉兰泰凹陷西北坡的金属探矿井在数百米深的元古界变质岩裂缝中发现轻质原油,揭示了该凹陷存在一定生烃潜力。利用地震相分析来解决固阳组沉积相带和烃源岩展布已成为评价该凹陷勘探潜力的重要问题。根据露头、钻井和地震等资料重点开展了地层对比、地震相和烃源岩展布等综合研究。结果表明:河套盆地吉兰泰凹陷下白垩统固阳组为断陷盆地近源旱地扇沉积,在固一段发育两期扇三角洲—半深湖沉积,松探1井、松探2井和吉参1井在固一段钻遇薄层暗色泥岩;暗色泥岩波阻抗高于砂岩,在地震剖面上形成强振幅反射;地震模型和属性分析表明湖相暗色泥岩沿NE向凹陷中心分布,最大累计厚度为45m,一般为20~30m;暗色泥岩总有机碳介于0.31%~2.63%,为Ⅱa-Ⅲ型,露头区烃源岩过成熟,松探1井为未熟—低熟状态;金属探矿井(ZK500井)540m深度处变质岩裂缝原油和松探1井2 270m深度处的4m油砂含油属于同一油源,生烃期为上新世末期;地震剖面和航磁异常指示了ZK500井附近存在上拱的侵入体,导致了凹陷烃源岩成熟度的横向快速变化;有利生烃和勘探区应位于埋深较大的吉兰泰凹陷北部深凹带。

河套盆地临河坳陷吉兰泰地区基岩裂隙含油特征及评价

为了构建河套盆地深层褶皱基底中高产的基岩油藏模式、探明基岩裂隙含油气性,基于已获得工业油流的临河坳陷吉兰泰地区的测录井数据、结合岩心观察和薄片鉴定,对河套盆地临河坳陷吉兰泰地区的生储盖特征进行了研究。结果表明:临河坳陷吉兰泰潜山基岩储层岩性主要为片麻岩,储集空间主要为深大断裂形成的构造裂缝,原油来自下白垩统固阳组烃源岩,上覆固阳组泥页岩为基岩裂隙油藏提供了良好的封盖,防止油气逸散,形成了埋藏浅、油层厚度大的潜山顶部基岩富集油藏。吉兰泰潜山油藏模式的成功发现丰富了变质岩领域的油气勘探实践,通过对圈—源关系及油气成藏模式综合分析,分层次开展临河坳陷有利区带优选,为变质岩类潜山油气成藏规律研究及有利区圈定提供重要参考。

河套盆地临河坳陷石油地质特征与油气富集规律

基于古地貌、钻井和地震资料,对河套盆地临河坳陷构造沉积演化、烃源岩特征、储集层特征及形成机制、油气成藏模式与富集规律进行系统研究。结果表明:①河套盆地主要历经“弱伸展断拗期、强伸展断陷期和走滑改造期”3期成盆演化过程,发育吉兰泰、沙布、纳林湖、兴隆等4大环洼正向构造带,为油气富集成藏的有利区带;②发育下白垩统固阳组、渐新统临河组两套主力咸化湖相烃源岩,具有高含硫富藻、早熟早排、生油窗口宽的特征;③河套盆地周缘山间大型构造转换带控制形成大型辫状河三角洲沉积,三角洲前缘砂体具有石英含量高(50%~76%)、长期浅埋弱压实、胶结物含量低、储集层物性好的特点,预测古近系有效储集层埋深达8000 m;④构建邻洼鼻隆、环洼潜山、近源断鼻3种油气成藏模式,临河坳陷油气富集规律为“环洼近源是基础、优质厚储集层是前提、良好的构造背景和圈闭条件是关键”。

Preparation, microstructure and dislocation of solar-grade multicrystalline silicon by directional solidification from metallurgical-grade silicon

A vacuum directional solidification with high temperature gradient was performed to prepare low cost solar-grade multicrystalline silicon （mc-Si） directly from metallurgical-grade mc-Si. The microstructure characteristic, grain size, boundary, solid-liquid growth interface, and dislocation structure under different growth conditions were studied. The results show that directionally solidified multicrystalline silicon rods with high density and orientation can be obtained when the solidification rate is below 60 μm/s. The grain size gradually decreases with increasing the solidification rate. The control of obtaining planar solid-liquid interface at high temperature gradient is effective to produce well-aligned columnar grains along the solidification direction. The growth step and twin boundaries are preferred to form in the microstructure due to the faceted growth characteristic of mc-Si. The dislocation distribution is inhomogeneous within crystals and the dislocation density increases with the increase of solidification rate. Furthermore, the crystal growth behavior and dislocation formation mechanism of mc-Si were discussed.