ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小

2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。

我国研制成功直径18英寸直拉硅单晶

我国第一根直径18英寸(450毫米)直拉硅单晶日前在北京有色金属研究总院研制成功,这标志着我国大直径硅单晶研究进入世界领先行列。并将对提高我国半导体材料工业技术的研究水平,推动集成电路和信息产业的发展产生积极影响。信息化程序的高低已成为衡量一个国家现代化水平的标志。作为现代经济先导产业的信息产业,其核心是集成电路产业。据统计,全世界以集成电路为核心的电子核心的电子元器件,95%以上是用硅材料制成的,而其中直接硅单晶的用量超过85%。