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CMOS有源集成像素传感器检测高能物理粒子 被引量：1
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作者 李琰 Yavuz Degerli +1 位作者 姜来 纪震 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2009年第1期30-35,共6页
研究适用于下一代国际线性电子对撞机中顶点探测器的CMOS有源集成像素传感器.实验芯片现采用标准0.35μmCMOS工艺设计,像素矩阵为128行×32列,像素大小为25μm×25μm,在像素内部实现相关双次采样技术.通过采用放射源55Fe测定,... 研究适用于下一代国际线性电子对撞机中顶点探测器的CMOS有源集成像素传感器.实验芯片现采用标准0.35μmCMOS工艺设计,像素矩阵为128行×32列,像素大小为25μm×25μm,在像素内部实现相关双次采样技术.通过采用放射源55Fe测定,芯片等效输入随机噪声为12个电子,而固定噪声为3个电子.传感器的电荷-电压转换系数达59μV/e-.在170MHz工作主频下,芯片信号处理速度达12μs/帧.芯片模拟部分功耗小于30mW. 展开更多
关键词 国际线性电子对撞机 CMOS有源像素传感器 相关双次采样 随机噪声 固定噪声 电荷-电压转换系数
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