4700S电子束曝光机图形曝光模式及其应用

通过对MEBES 4700S电子束曝光机不同图形曝光模式特性的比较和分析,得到其在160MHz和320MHz曝光像素频率和不同设计栅格尺寸下的适用范围,以利用MEBES 4700S生产具有期望精度值图形的掩模版,达到最佳的制版效果。

局部高台阶对注入层全局关键尺寸均匀性的影响

在集成电路制造过程中,注入层高台阶分布状态是注入层光刻胶关键尺寸(critical dimension,CD)均匀性质量优劣的重要影响因素之一。通过对高台阶在晶圆上的分布、疏密程度、台阶宽度及与曝光图形距离的研究,探索了影响高台阶注入层光刻工艺CD均匀性的关键参数,提出了一种优化的版图设计方法。实验结果表明:高台阶的均匀分布有利于提高CD的均匀性;台阶疏密程度对CD均匀性的影响较小;台阶宽度越大,CD的平均值越小,但对3σ值没有明显影响;高台阶距离曝光图形越远,CD的均匀性越好。应用优化的版图设计方法后,改善了器件的CD均匀性和生产的稳定性,光刻CD均匀性提高了约49.4%。

一种适用于数字微镜无掩模光刻的图形拼接方法

针对数字投影光刻技术大面积图形曝光的需求,提出了一种基于灰度模板调制的图形拼接方法,包括图形分割、模板设计、子图形灰度调制、子图形曝光4个步骤。图形曝光前,需要将曝光图形分割为多帧大小为1024pixel×768pixel的多个子图形,然后每个子图形与对应模板相乘,实现曝光子图形的预处理。基于数字微镜(DMD)对灰度图形的调制原理,设计了可行的边界灰度调制模板。给出了图形分割的基本方法以及模板设计的原则。计算机仿真实验展示了图形拼接的过程。实验结果表明,该方法能较好地解决大面积图形曝光存在的拼接问题,改善了图形刻蚀的质量。