蚀刻设备的现状与发展趋势

概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。

机载雷达罩曲面FSS阵图形制作研究

采用电镀铜箔蚀刻法和图形电镀反贴法，研究了雷达罩曲面ＦＳＳ阵图形制作工艺，解决了液态光抗蚀油墨的立体涂布、底片分割贴装、旋转狭缝曝光及蚀刻问题；另外还解决了图形电镀、压模反贴问题。图形精度分别达到±０ ．０８ ｍｍ 和±０ ．０６ ｍｍ ，满足≤±０ ．１０ ｍｍ 的图形公差要求。

自干耐酸抗蚀印料的研制

就该产品主要成分确定及各成分间的最佳配合试验作了介绍，提出了较理想的配方设计产品工艺路线，试验结果表明：该产品配方设计合理，产品性能优良，并完全适应电路板生产工艺对产品的技术要求。