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室温纳米压印制备中的共性关键工艺问题 被引量:1
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作者 朱振东 施玉书 +6 位作者 李伟 高思田 李适 李琪 张立辉 李群庆 范守善 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期43-47,70,共6页
纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究。提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳... 纳米压印光刻技术具有低成本、高效率、大面积、高分辨、多尺度、良好的工艺兼容性等特点,可用于亚波长光电子器件的研究。提出了硅水合物(HSQ)/聚丙烯酸甲酯(PMMA)双层胶室温纳米压印工艺方法,研究并解决了有关压印光刻胶剩余底膜和纳米图形保真性刻蚀转移的两个关键工艺技术问题。以制备特定需求的石英纳米光栅器件为目标,经过工艺优化,成功地实现了周期200 nm、占空比0.5、深宽比5∶1、栅线侧壁垂直且粗糙度小于3 nm的高分辨率亚波长光栅的制备。所提出的双层胶刻蚀方法,有望拓展到纳米标准物质和芯片级光学频率梳器件等对侧壁陡直和粗糙度有严格要求的应用领域。 展开更多
关键词 室温纳米压印 光刻胶剩余 图形转移技术 纳米刻蚀 亚波长光栅
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亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制 被引量:1
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作者 刘文安 黄如 张兴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期583-588,共6页
利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区... 利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 . 展开更多
关键词 侧墙图形转移技术 固相扩散 源漏扩展区
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Microarray image processing by order morphology
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作者 FU Dong-xiang MA Jun-shan +1 位作者 CHEN Jia-bi HOU Lin-Lin 《Optoelectronics Letters》 EI 2006年第2期151-154,共4页
An order morphology transform is presented to filter and segment which is done by different percentile. Filter Is done flexibly by different size structure element with several percent. The threshold which for normal ... An order morphology transform is presented to filter and segment which is done by different percentile. Filter Is done flexibly by different size structure element with several percent. The threshold which for normal segment way such as Ostu decides is more lower when a low SNR Image Is processing especially the foreground is small or dot. The foreground can not be identified effectively in those case. Adaptive multl-threshold segment Is defined by percent value of order morphology. Analysis and results indicate that this way is more adaptive to different SNR fluorescence images. It could be applied to process high-density chips. 展开更多
关键词 图象处理 形态转移 滤波技术 SNR 信噪比
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