openGL中基于位图填充的图案掩模分析与设计

open GL中多边形的填充主要包括色彩填充、纹理插值图案填充和位图图案填充,主要对位图图案的填充方式进行讨论,掩模的设计是位图填充中的关键,重点讨论掩模的构成,并以实例介绍的掩模的设计方法,分析了图案填充的应用效果。

一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究

为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,>20)的图案掩模。其中,DPW IMP阻挡掩模可以做到更厚,约4.2μm,DPW pattern的space可以做到更小,约0.2μm。该工艺革新为后续deeper DPW IMP,pixel shrinking,同时提升CIS器件的FWC光素性能提供了可能,针对引入TRL的干刻工艺的主要建立过程予以技术说明。

Si衬底氮化物LED器件的研究进展

通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。