期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布 被引量:1
1
作者 何进 《半导体情报》 2001年第1期54-57,共4页
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿... 基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。 展开更多
关键词 平面 击穿电压 电场分布 圆柱突变结
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部