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圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布
被引量:
1
1
作者
何进
《半导体情报》
2001年第1期54-57,共4页
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿...
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。
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关键词
平面
结
击穿电压
结
深
电场分布
圆柱突变结
下载PDF
职称材料
题名
圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布
被引量:
1
1
作者
何进
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《半导体情报》
2001年第1期54-57,共4页
文摘
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。
关键词
平面
结
击穿电压
结
深
电场分布
圆柱突变结
Keywords
planar junction
breakdown voltage
junction depth
field distribution
分类号
TN302 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布
何进
《半导体情报》
2001
1
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