圆柱面和球面真空微电子二极管内电子渡越时间的计算

从拉普拉斯(Laplace)方程和电子渡越时间的定义出发,推导出了圆柱面和球面真空微电子二极管内的电子渡越时间关系式。引入了等效真空微电子二极管的概念,进一步估算了真空微电子三极管内的典型电子渡越时间。

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。

场发射真空微电子二极管结构与性能关系研究

本文讨论了场发射真空微电子二极管的工作原理与结构性能关系

真空微电子二极管的隧道效应

采用许瓦兹－克里斯托福变换，求得了以椭圆锥为发射体的真空微电子二极管区域的电位分布的解析解。采用自由电子模型，运用ＷＫＢ近似，对真空微电子二极管的表面势垒和隧道电流进行了理论研究，求得了表面势垒和隧道电流的表达式，并进行了数值计算。

微密封真空微电子二极管阵列

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结果。

平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式

从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。

平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P-VMD)二极管中电流-电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler-Nordheim场发射方程的基础上[2],通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工作状态(归一化电位系数p=2/3)情况下,考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50.00%,73.21%和22.47%。P-VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数,在阳极表面附近为最小,在阴极表面处为无穷大,这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故。

微封闭真空微电子二极管的实验研究

微封闭真空微电子二极管的实验研究＊刘卫东朱长纯（西安交通大学，７１００４９，西安）对真空微电子器件进行真空封装，是其得以广泛应用的重要先决条件［１］．未密封的真空微电子器件的长期稳定工作及各项性能测试，往往需要庞大的真空系统，这限制了它的广泛应用．目...

平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式

本文借助于泊松(Poisson)方程,分析了平面平行真空微电子二极管(P-VMD)中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性。最后举例说明了此关系式的应用。

自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。

真空微二极管发射特性的解析解

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．

自封闭低压硅场致发射二极管的研究

本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详细的分析．

一种复合式MEMS皮拉尼真空计的设计

微电子机械系统(MEMS)皮拉尼真空计可广泛用于芯片封装和设备测试等领域。量程是MEMS皮拉尼真空计的重要性能指标之一。设计了一种复合式MEMS皮拉尼真空计,通过将具有不同测量范围的两款器件串联复合在同一芯片上,实现量程的扩展。以二极管型皮拉尼真空计为例设计了器件结构,优化了尺寸参数,并给出了兼容CMOS工艺的制造方案。最后通过COMSOL仿真,获得器件气压测量范围可达2.5×10^(-3)~1.15×10^(6)Pa,同时平均灵敏度达到132 mV/dec。相比于现有的单一型和组合式器件,设计的复合式MEMS皮拉尼真空计可以在小尺寸情况下具有更大的量程兼更高的灵敏度。

电真空器件

0116503金属卤化物灯制造技术的新进展[刊]/陈平//真空电子技术.—2001,(3).—31～33(C)金属卤化物灯是新一代的电光源,它具有高光效、高显色性和长寿命等特性。本文主要介绍金属卤化物灯目前的最新研究成果及未来的发展动态。参20116504平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式[刊]/陈博贤//真空电子技术.—2001,(3).—7～10(C)从泊松(Poisson)方程出发,推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式,并列举了此关系式的有关应用。参30116505研究发射管热量和温度。