圆片级芯片尺寸封装技术及其应用综述

综述了圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)的新技术及其应用概要,包括WL-CSP的关键工艺技术、封装与测试描述、观测方法和WL-CSP技术的可靠性及其相关分析等。并对比研究了几种圆片级再分布芯片尺寸封装方式的工艺特征和技术要点,从而说明了WL-CSP的技术优势及其应用前景。

用于圆片级芯片尺寸封装的光敏聚合物的无氧低氟等离子去屑工艺

一种新型的无氧低氟等离子去屑工艺已开发应用于圆片级芯片尺寸封装。这种无氧去屑工艺。使用H2／N2混合气体作为主刻蚀剂，并携带微量含氟气体（CF4＜0.5%）。在H2／N2混合气体中添加CF4可加快BCB刻蚀速度。BCB刻蚀速度随温度上升而线性增加，并能在150℃至240℃的温度范围内作精确调整。已确认，对于BCB聚合物的去屑。这种无氧等离子工艺与传统的含氧离子工艺相比有着显著的优点，其中包括对二氧化硅和氮化硅上的BCB有极大的刻蚀选择率，而对铝、铜合金等金属引线无有害冲击。

晶圆上测试射频系统级芯片的挑战(英文)

随着无线通讯产业推动芯片集成度的不断提高,系统级封装(SIP)和多芯片组件(MCM)被更多采用,射频系统级芯片(RF-SOC)器件的良品测试已成为一大挑战。这些器件与传统的单晶片集成电路相比,具有更高的封装成本,并且由于采用多个晶片,成品率较低。其结果是进行晶圆上综合测试的成本远超过最终封装后测试器件的成本。此外,一些IC制造商销售裸晶片以用于另一些制造商的SIP和MCM中,这就要求发货的产品必须是良品。以蓝牙射频调制解调芯片为例,讨论了RF-SOC器件良品晶片(KGD)的测试难点和注意事项。对此样品,除了在晶圆上进行射频功能测试的难点,还有同时发射和测量数字、射频信号的综合问题。此外对被测器件(DUT)用印制线路板布线的难点,包括晶圆探针卡的设置及装配进行探讨。还介绍了选择探针测试台、射频晶圆探针卡和自动测试设备(ATE)时需考虑的因素。并以晶圆上测试的系统校正,包括难点和测试方法,作为结尾。这颗蓝牙射频调制解调芯片的实际测试数据也会被引用,以佐证和加深文章中的讨论。

C4NP-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据(英文)

受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具)。这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率。注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300mm(或300mm以下)圆片上。受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性。这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCiP以及WLCSP凸台形成均能适用。

微机电系统封装技术

首先提出了MEMS封装技术的一些基本要求,包括低应力、高真空、高气密性、高隔离度等,随后简要介绍了MEMS封装技术的分类。在此基础上,综述了三个微机电系统封装的关键技术:微盖封装、圆片级芯片尺寸封装和近气密封装,并介绍了其封装结构和工艺流程。

WLCSP钉头凸点焊点成形建模与三维形态预测

本文主要研究晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP:Wafer-Level Chip Scale Packaging)中的钉头凸点焊点的三维形态问题。基于最小能量原理和焊点形态理论,建立钉头凸点焊点的三维形态预测模型,运用该模型预测焊点表面形态变化,并测量焊点形态参数。分析影响焊点形态变化的关键因素,对钉头凸点的焊点结构参数以及加工工艺参数进行优化,以提高组装良品率。