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等离子体浸没离子注入圆筒内表面的时空尺度
1
作者
田修波
D T K Kwok
+1 位作者
童洪辉
Paul K Chu
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期709-713,共5页
等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在...
等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在一定的电压范围内实现。在典型的外表面注入工艺条件下 ,内表面离子的耗尽速度是惊人的。如在对于直径 2 0cm的圆筒在 30kV、2× 10 15ions/cm3的条件下 ,等离子体耗尽时间仅为 0 .5 5 μs ,这个时间甚至小于多数脉冲电源的上升沿时间。结果表明 ,内部等离子体源的硬件结构可能是一种有效的解决方法。
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关键词
时空尺度
等离子体浸没离子注入
尺度效应
圆筒内表面
表面
改性
下载PDF
职称材料
题名
等离子体浸没离子注入圆筒内表面的时空尺度
1
作者
田修波
D T K Kwok
童洪辉
Paul K Chu
机构
香港城市大学
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期709-713,共5页
文摘
等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在一定的电压范围内实现。在典型的外表面注入工艺条件下 ,内表面离子的耗尽速度是惊人的。如在对于直径 2 0cm的圆筒在 30kV、2× 10 15ions/cm3的条件下 ,等离子体耗尽时间仅为 0 .5 5 μs ,这个时间甚至小于多数脉冲电源的上升沿时间。结果表明 ,内部等离子体源的硬件结构可能是一种有效的解决方法。
关键词
时空尺度
等离子体浸没离子注入
尺度效应
圆筒内表面
表面
改性
Keywords
Inner surface, Plasma immersion ion implantation, Dimension effects
分类号
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
等离子体浸没离子注入圆筒内表面的时空尺度
田修波
D T K Kwok
童洪辉
Paul K Chu
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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职称材料
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