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基于Sinovation的覆盖件模圆角自动减小算法与实现 被引量:1
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作者 徐伟 张道忠 魏威 《模具工业》 2015年第5期28-33,共6页
针对在CAD软件中减小覆盖件模的圆角时,容易出现圆角面变形质量差、处理效率低等问题,提出了一种基于面面创建圆角的圆角自动减小算法,通过自动检索圆角、查找面边、延长面、面面倒圆角、变半径圆角等系列算法,实现了圆角面的自动批量减... 针对在CAD软件中减小覆盖件模的圆角时,容易出现圆角面变形质量差、处理效率低等问题,提出了一种基于面面创建圆角的圆角自动减小算法,通过自动检索圆角、查找面边、延长面、面面倒圆角、变半径圆角等系列算法,实现了圆角面的自动批量减小,并在国产CAD软件Sinovation的基础上进行开发,大大提高了圆角设计效率。通过车门型面圆角减小案例的应用,表明该算法可以提高圆角减小的效率和变形后圆角面的质量,满足模具企业高效、灵活的模具型面设计需要。 展开更多
关键词 覆盖件模 圆角减小 面面创建圆角 变半径
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一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法 被引量:1
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作者 林源为 赵晋荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第1期42-45,64,共5页
由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(T... 由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究。通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6μm和12μm减小到了6.6~10.0μm和8.4μm。该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 减小底部圆角 硅微腔 硅通孔(TSV) 先进封装
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