土垄内嵌基质栽培方式对日光温室春甜椒的降温增产效应

本文提出土垄内嵌基质的栽培方式以缓解日光温室春甜椒生长季遭受的高温影响。通过设置土垄栽培(S处理)、土垄嵌PE槽基质栽培(P处理)、土垄嵌铁丝网槽基质栽培(W处理)3种处理,以单纯PE槽基质栽培(CK)为对照,在春甜椒果实成熟采摘期(5-6月)每日气温较高时段(12:00-16:00)观测各处理根区环境温度,在甜椒不同生育时期观测各处理植株的生长指标及产量并进行比较。结果表明:S、P和W处理的根区温度分别比CK低1.50、2.17和1.47℃,说明P和W处理能够有效缓冲高温时甜椒根区环境温度的升高,且P处理的温度缓冲效果略优于W处理。S、P和W处理甜椒的株高、茎粗、叶绿素含量和地上干鲜重均显著高于CK,能显著促进甜椒生长发育,其中W处理对甜椒生长的促进作用最明显。基质栽培根系鲜重较大,但CK根区高温减少了甜椒地上部和根系干物质积累。此外,第一次采摘时土垄栽培的结实数显著低于其它3个处理,说明基质栽培相对土壤栽培能促进甜椒开花坐果,缩短生育期。W处理结实数、单果重、单株产量、果实大小及单产均显著高于其它处理,其产量为3.78kg·m^(-2),分别比S、P和CK处理提高80.9%、31.3%和51.8%。总之,土垄嵌铁丝网槽基质栽培能够在有效增强根区温度缓冲能力的前提下,明显提高甜椒产量,在日光温室高温环境生产中具有重要的应用价值。

起垄高度对日光温室土垄内嵌式基质栽培甜椒根区温热及产量的影响

为了优化土垄内嵌式基质栽培(SSC)的垄高参数,于2018年在冬季日光温室内进行甜椒栽培试验。试验设置土垄(SR)、标准垄(NR)、矮标准垄(NRs)和土壤沟嵌(SE)共4个处理,以探究栽培垄高度对根区温热特性、垄侧土壤缓冲能力以及甜椒生长和产量的影响。结果表明:白天高温时段,起垄高度越高则根区温度越高,相同垄高的NR处理比SR处理白天平均温度高1.07℃;夜间低温时段,NRs处理根区温度最高,比SR处理根区温度高1.77℃;12月27−31日连续5 d观测表明,各处理根区昼夜平均温度在17.03~18.55℃。起垄高度对甜椒的株高和茎粗有显著影响,起垄越高,甜椒植株生物量越高,NR处理的地上和地下干鲜重均为最优。但是,NRs处理的甜椒产量更高。与SR处理相比,NR和NRs处理甜椒产量分别提高43.0%和50.9%。综上所述,在相同水肥条件下,起垄高度对根区温度的改变在1.52℃范围内,NRs处理能够提高夜间根区温度;虽然高垄(NR)能够促进甜椒植株生物量,但适量降低垄高(NRs)更有利于甜椒产量的提高。因此,垄高10cm的SSC可通过提高根区夜间温度,从而提高SSC的生产性能,更适宜应用于日光温室甜椒生产。

日光温室夏季番茄土垄内嵌式基质栽培根区及株间温度特征

夏季在日光温室中采用土垄内嵌式基质栽培方法种植番茄,通过温度传感器探究栽培垄根区和株间不同高度的温度变化规律。结果表明:根区温度稳定性强,波动范围较地上部小,白天远低于地上温度,而夜间则高于地上温度。一天中,不同高度的株间温度仅在正午时段略有差别,以高1. 0 m处温度最高,最高温平均值为40. 7℃。根区温度随深度增加稳定性变强,波动范围变小,白天根区深5. 0 cm处的温度较深10. 0cm处的高,夜间则相反;南北方向上,根区深5. 0 cm处的温度从南到北呈现出明显的降低趋势,而10. 0 cm处以南部温度最高,中部和北部温度没有明显差异,即随着深度的增加,根区温度在南北方向上的差异逐渐减小。总的来看,地上部温度波动范围大,但不同高度的株间温度没有明显差异;根区温度波动范围小,稳定性强,但在不同深度和南北方向上存在差别。

设施甜椒土垄内嵌式基质栽培垄的N2O排放通量昼夜变化

为了探究新型栽培方式下甜椒苗期N2O的排放量和排放昼夜变化规律,明确新型栽培方式下最佳的蔬菜减排栽培模式,通过静态箱-气相色谱法分别对土垄栽培、土垄内嵌式基质栽培(SSC)标准垄、SSC矮垄3种栽培模式的内嵌区和整个垄部连续取气测定N2O排放量。结果表明,测定时间段内,设施甜椒苗期的N2O排放通量出现两个排放峰值,呈现昼高夜低的现象。在白天(8:00—16:00),SSC矮垄的垄部N2O的平均排放通量最大,为0.180 mg·m^-2·h^-1,土垄的垄部N2O的平均排放通量最低,为0.112 mg·m^-2·h^-1;在夜间(17:00—22:00),SSC标准垄的垄部N2O的平均排放通量最大,为0.113 mg·m^-2·h^-1,土垄的垄部N2O的平均排放通量最小,为0.064 mg·m^-2·h^-1。3种栽培模式的N2O的昼夜累积排放量无显著差异,与土垄栽培相比,SSC矮垄栽培更有利于甜椒的生长。综上,SSC矮垄栽培有利于设施蔬菜的生长,为设施蔬菜减排增效技术研究提供参考。

覆膜对日光温室垄嵌及沟嵌基质栽培根区温度和甜椒幼苗生长的影响

为了探究覆膜对日光温室中垄嵌与沟嵌基质栽培根区温度和甜椒幼苗生长的影响,以土垄栽培(SR)为对照,设置4个垄嵌及沟嵌基质处理进行田间试验。其中处理1为起垄内嵌基质栽培(SSC),其下底宽40 cm,高度10 cm,内嵌槽深10 cm;处理2为不覆膜起垄内嵌基质栽培(SSC-WF);处理3为内嵌槽全嵌入(10 cm)地表面的土壤沟嵌基质栽培(SE),高度为0 cm;处理4为不覆膜土壤沟嵌基质栽培(SE-WF)。结果表明:与SR相比,SSC、SE处理能够提高夜间根区温度均值0.5℃左右;不同月份的最高温与最低温差值的平均值表现结果有所不同,但以SE处理的根区稳定性较强。垄嵌与沟嵌对根区温度的影响表现为:垄嵌基质栽培抗低温能力要优于沟嵌基质栽培,但根区温度稳定性较弱;覆膜处理能够提高根区温度。SSC、SSC-WF和SE处理甜椒幼苗的株高、茎粗和SPAD值显著高于SR,且SSC处理促进幼苗生长的效果最显著;SSC和SE处理的茎粗和SPAD值有显著差异,株高无显著差异。综上所述,覆膜条件下,垄嵌与沟嵌基质栽培能够提高根区温热效应,尤以垄嵌基质栽培更优,同时更利于促进甜椒幼苗的生长。

基质盆栽韭菜的栽培管理技术

盆栽韭菜的栽培方式主要是有土栽培和无土栽培两大类,由于草炭、香菇渣和秸秆等基质容重小,养分含量全面,易于搬运和家庭普及,因此无土基质盆栽韭菜越来越受人们的欢迎,但具体实施时要韭菜具体栽培环境选择合适的容器和基质,注意肥水管理。

日光温室四种土垄内嵌式基质栽培垄甜椒根区与垄侧昼夜温度变化特征

针对我国北方地区日光温室冬春季低温胁迫、土壤连作障碍、单产低、水肥资源利用率低等问题,发明了一种新型的栽培方法-土垄内嵌式基质栽培方法(SSC)。在日光温室条件下研究了土垄(SR)、标准垄(NR)、矮标准垄(NRs)、窄标准垄(NRn)和种植密度加倍标准垄(NRd)5种不同垄型的根区与侧面土壤温度的昼夜变化特征。结果表明:2016年11月6~10日和2017年1月2~7日两个生长阶段连续5个昼夜中室内平均温度、白天平均温度和夜间平均温度依次为16.53℃、20.44℃和14.12℃,13.92℃、22.78℃和10.16℃。11月份连续5个昼夜中昼夜平均温度的差值和最高温度平均值与最低温度平均值的差值均以SR处理最高,分别为2.04℃和6.06℃;均以NRs处理最低,分别为0.80℃和4.95℃。1月份连续5个昼夜平均温度的差值和白天最高温度与夜间最低温度平均值的差值均以SR处理最高,分别为1.18℃和6.24℃;最高温与最低温平均值的差值以NRs处理最低,为4.85℃;昼夜平均温度差值以NRn最低,为0.07℃。各处理根区温度和东侧西侧土壤温度都为极显著线性相关。试验结果表明,NR具有较好的根区温度缓冲能力,且能够提升夜间根区温度,在冬季与早春季日光温室蔬菜生产中具有更好的应用前景。

日光温室起垄内嵌式栽培基质配比对甜椒根区温度和植株生长及产量的影响

为探究起垄内嵌式栽培基质配比对甜椒生长和根区温度的影响,在日光温室中以土壤栽培为对照,共设置4种不同基质配比(体积比):草炭∶蛭石∶珍珠岩=1∶1∶1、2∶1∶1、3∶1∶1和3∶2∶1。结果表明:根区基质温度受两侧土壤温度的影响,与两侧土壤温度呈极显著相关;不同基质配比根区温度日变化规律不一致,但日平均温度无显著差异;4种基质配比的根区昼夜平均温差均比土壤低1.0～2.0℃。基质配比对不同生育阶段甜椒的株高、茎粗和SPAD值没有显著性影响,但2∶1∶1配比处理能显著提高甜椒的干物质量。4种基质栽培的甜椒产量均高于土壤,其中2∶1∶1配比处理产量最高为6.46kg/m2,比土壤高103.1%。总结而言,起垄内嵌基质栽培能够提高根区温度的缓冲能力和稳定性;不同基质配比对根区温度影响不显著,但草炭∶蛭石∶珍珠岩=2∶1∶1基质配比能够显著促进甜椒干物质量积累和产量的提高,更适合应用于日光温室甜椒生产。

基质盆栽韭菜技术

盆栽蔬菜的栽培方式分有土栽培和无土栽培两大类，目前，无土基质栽培正逐渐成为盆栽蔬菜的新型主流栽培方式，下面介绍基质盆栽韭菜的栽培技术。

杜鹃新优品种——紫金粉玉

该品种由江苏省农业科学院园艺研究所于2013年育成,属于常绿杜鹃类型,适宜江苏省内长江中下游地区设施栽培。紫金粉玉10月定植,长势迅猛,翌年春季即可开花,花期3月中下旬左右。1.设施要求普通大棚即可。2.栽培基质可用泥炭、椰糠、腐叶土或者以1/4珍珠岩与其中之一混合使用。