基于强化磁记忆的螺栓联接件损伤在位监测研究

针对螺栓联接结构中螺栓孔位置处裂纹损伤实时监测的需求,采用强化磁记忆检测技术,搭建了基于GMR传感器的环螺栓孔阵列的低周疲劳裂纹产生和扩展监测装置,对螺栓孔孔边的状态进行实时在位监测,并通过分析监测信号对拉伸试件的损伤断裂位置进行定位。结果表明,该装置可以有效预测裂纹萌生及试件断裂的位置,并且在损伤出现的早期阶段磁异变信号更加敏感。

多通道光纤化学传感器连续在位监测固体制剂的体外溶出度

采用基于荧光猝灭原理的多通道光纤化学传感器连续在位监测固体制剂的体外溶出度。采用自制光纤荧光溶出度监测仪与ZRS 4型智能溶出仪联用 ,连续在位监测氧氟沙星片、甲硝唑片、呋喃妥因肠溶片的体外溶出度 ,溶出曲线经微机从五种常用数学模型中根据相关系数r值 ,优选最佳模型进行拟合。方法的回收率分别为 97.4%～ 1 0 4 .4%、97.4%～ 1 0 3 .8%、96 .6 %～ 1 0 2 .1 %,日内、日间的RSD <5 %。经与中国药典 2 0 0 0版方法及美国药典 2 3版方法对照 ,各时间药物累积溶出量和拟合后提取的参数均无显著性差异 (P >0 .0 5 )。

介绍一种活体在位实时监测脑内化学物质变化的新方法

介绍了一种新颖的在位实时监测脑内化学物质变化的新方法。在探头──透析电极制作中运用了酶化学、电化学和微透析技术，能连续测定行为动物脑内神经化学物质浓度的变化，并且不需要借助高效液相仪作测定［１］。同时；扼要地介绍了探头的结构以及该技术的应用。

光纤传感技术在深水复合软管监测中的应用研究进展

深水复合输送软管的服役过程中,诸多因素会诱发管道事故,对复合软管在位安全监测提出了更高的要求。本文介绍了国外应用于复合软管的监测技术的优缺点,分析了光纤技术在复合软管监测中的优势;简述了光纤传感技术及其技术原理,并提出光纤的选型原则与监测方案;分析了光纤传感技术的国外应用现状。

极端环境条件下TLP平台的应力校核(英文)

计算校核了某TLP平台垂向肘板在极端环境条件下的应力响应.该垂向肘板为TLP立柱与张力支撑系统(TSS)间的连接件,是TLP平台强度评估的关键部位.根据通用的业界标准,平台的环境载荷计算采用三维线性理论,结构分析使用有限元方法.应力数值计算与处理与实测应变片的位置和方向完全一致.平台在位监测的数据使用FFT技术进行了处理,得到了不同时段统计下各浪向的应力谱密度(RAO).数值计算与平台在位实测对比表明,数值模拟的应力谱密度与实测数据吻合较好,业界的分析方法可以在极端条件下对TLP的关键部位进行有效的强度分析.

AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究

采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上,生长了AlGaN/GaN HEMT结构材料,获得了良好的2DEG性能。

缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长GaN岛间合并延迟.X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明,GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.