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GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究 被引量:2
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作者 陈金远 陶洪琪 +4 位作者 曹敏华 吴振海 郑华 高建峰 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期579-583,共5页
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验... 讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。 展开更多
关键词 在片测试 脉冲功率测试 在片校准技术
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