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GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究
被引量:
2
1
作者
陈金远
陶洪琪
+4 位作者
曹敏华
吴振海
郑华
高建峰
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期579-583,共5页
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验...
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。
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关键词
在片
测试
脉冲功率测试
在片校准技术
下载PDF
职称材料
题名
GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究
被引量:
2
1
作者
陈金远
陶洪琪
曹敏华
吴振海
郑华
高建峰
张斌
机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期579-583,共5页
文摘
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。
关键词
在片
测试
脉冲功率测试
在片校准技术
Keywords
on-wafer testing
pulse power testing
on wafer calibration technique
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.16 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究
陈金远
陶洪琪
曹敏华
吴振海
郑华
高建峰
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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