用于在片测试系统整体校准的电阻标准件

为解决在片测试系统中1~1000Ω电阻无法进行整体校准问题,通过采用GaAs材料作为衬底,利用半导体工艺中薄膜溅射法,使用轰击离子Ar+与靶材作用形成反应层,激发出的溅射原子NiCr打至GaAs表面,制作薄膜电阻.采用方块电阻为50Ω/块,通过调节长与宽的比值,研制出1~1000Ω电阻标准件.为消除电阻测量过程中芯片内部回路引线的影响,研制出相对应的短路器.通过组建具有温度控制系统的定标装置,在-40~100℃温度下对标准件进行定标,定标结果表明电阻标准件的阻值与温度具有良好的线性关系,短期重复性RSD优于0.05%,年稳定性RSD优于0.1%,可以有效解决现有在片测试系统低值电阻参数的整体校准问题.

GaN大功率Quasi-MMIC在片测试系统的研究

讨论GaN大功率Quasi-MMIC在片测试系统搭建以及测试中需要解决的各项问题。通过对传统在片测试系统的研究,结合GaN芯片要求高电压、高功率输出的特点,对直流探针和测试夹具进行改进,最终组建了GaN大功率Quasi-MMIC的在片测试系统,并用该系统对某款GaN Quasi-MMIC进行了测试评价,证明了该测试系统的可用性和测试的准确性。

基于VEE的MEMS滤波器在片测试系统

MEMS滤波器具有小型化、低插损、高带外抑制等优点,是微波通信系统研究的重要方向之一。随着MEMS滤波器需求量的不断增加,传统的手动测试筛选方式已经不能满足多通道组件装配的需求。本文采用Agilent VEE作为软件开发平台,设计了一种MEMS滤波器自动测试系统。该系统实现了滤波器在片微波测试和数据自动存储,能够满足大规模测试的要求。

MEMS陀螺在片自动测试系统开发

为了快速评估出微机械陀螺的振动性能参数,结合ASIC探针卡,NI数据采集卡,半自动探针台和软件实现了圆片级自动测试,判断出陀螺是否能正常振荡。实验结果表明,该圆片级在片自动测试系统能准确的测量出芯片的振动性能,快速准确的反映出工艺能力,且实现圆片级挑选出不同等级性能的陀螺芯片,对陀螺的设计和生产加工具有重要的促进作用。

基于回波替代的毫米波矢量网络测试校准方法

毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低了校准过程中对校准件精度的要求,获得了更具鲁棒性的校准误差模型参数。基于国产AV3672矢量网络分析仪在1～50 GHz内对该校准方法相较于传统校准方法的有效性进行了验证。采用这种方法校准后,直通校准件的S_(21)测试误差下降至0.02 dB,短路校准件S_(11)误差下降至-50 dB。实验结果证明,该方法在不依赖于昂贵的附加仪器仪表设备的同时,明显提升了毫米波矢量测试精度,而且算法复杂度并没有急剧增加,具备极强的实用性和通用性。