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透射式GaAs光电阴极激活技术研究
被引量:
6
1
作者
徐江涛
《应用光学》
CAS
CSCD
2000年第4期5-7,15,共4页
通过对成像器件GaAs负电子亲合势 (NEA)光电阴极激活技术的研究 ,运用分析仪器进行工艺质量在线监测 ,在大、薄、匀的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于 130 0 μA/lm。
关键词
NEA光电阴极
激活
在红监测
砷化镓
微光管
下载PDF
职称材料
题名
透射式GaAs光电阴极激活技术研究
被引量:
6
1
作者
徐江涛
机构
西安应用光学研究所
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
2000年第4期5-7,15,共4页
文摘
通过对成像器件GaAs负电子亲合势 (NEA)光电阴极激活技术的研究 ,运用分析仪器进行工艺质量在线监测 ,在大、薄、匀的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于 130 0 μA/lm。
关键词
NEA光电阴极
激活
在红监测
砷化镓
微光管
Keywords
GaAs
NEA photocathode
activation
on-line mornitoring
dual-In sealing.
分类号
TN223 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
透射式GaAs光电阴极激活技术研究
徐江涛
《应用光学》
CAS
CSCD
2000
6
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