碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装

通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹性装配技术还具有通过拼接得到大面积阴极的潜力 .采用这套技术 ,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品 .

场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。

基于CPLD的新型场发射平板显示器的控制驱动系统

介绍一种新型场发射平板显示器件FAHED,利用CPLD作为核心,设计了器件的控制驱动系统,并采用计算机模拟的方法对系统的性能进行了检测,验证了设计的正确性和可行性。

碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制

探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程．用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF；以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极；采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管．所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2．7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2．因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力．

场离子发射与场离子显示屏(FID)——一种新型彩色平板显示器

:场离子显示屏 (FID)是一种既能克服场发射显示屏 (FED)制作的困难 ,实现阴极射线显象管 (CRT)平板化 ,又能保持CRT优质图象和低廉价格的新型彩色平板显示屏。本文先介绍场离子发射的原理 。

碳纳米管阴极场发射平板显示器用高压驱动电路研究

碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路在整个显示系统中占有非常重要的地位,该高压驱动电路的设计优化和制作不但直接影响显示效果,甚至决定着整机的价格,本文结合碳纳米管显示器研制过程中对高压驱动电路的需要,对比分析了已有几种高压驱动电路的结构特点,设计了基于CMOS电路结构的高压驱动电路,电路全部由高压和低压MOSFET组成,从而达到降低功耗、提高速度、并利于实现单片集成的目的.用SPICE电路仿真软件验证所设计电路具有正确的逻辑功能,并对电路结构和器件参数进行优化.在此基础上,通过制作电路板,并实测电路的频率响应符合设计要求.用所制作电路板驱动系统驱动我们制作的5英寸单色碳纳米管阴极场发射平板显示屏,显示效果良好.

具有发展潜力的场发射平板显示器

本文简要介绍了平板显示器的发展趋势;比较了几种平板显示器的性能;对于场发射平板显示器的发展前景进行了展望。

一种基于DSP与FPGA实现场发射平板显示器视频信号处理系统的方案

数字视频信号处理涉及对高速实时视频信号的传输和处理,要求相关电路系统具有强大的数据处理能力。介绍一种以DSP和FPGA器件为核心构建的场发射平板显示器视频信号处理系统方案,并以TI公司的DSP芯片TMS320C6713和Xilinx公司的FPGA芯片XC3S200-PQ208来实现系统方案,在自主研制的4.5 inch(11.43 cm)160×120分辨率单色场发射平板显示样屏上得到了功能验证。所设计的视频信号处理电路方案把两种处理器的性能优势结合起来,具有微处理器嵌入式系统的优点,同时可实现并行算法结构,满足视频信号传输和处理的高速实时性要求。

我国研制成功FED场发射平板显示器

郑州大学材料物理重点实验室“金刚石——碳膜冷阴扳场发射平板显示器”项目．在张兵临教授的带领下，经4年多努力，终于研制成功我国平面型FED场发射平板显示器，赶上世界上目前正处于边研制边开发阶段的先进水平，为进一步开发数码管、复合字符屏、大屏幕电视像素管以及其它显像方面的应用奠定了基础。

具有发展潜力的场发射平板显示器

本文简要介绍了平板显示器的发展趋势;比较了几种平板显示器的性能;对于场发射平板显示器的发展前景进行了展望。

场发射平板显示器件亮度非均匀性校正方法的研究

首次提出采用亮度不均校正的方案解决场发射平板显示器件中微尖阵列均匀性问题；建立了矩阵式平板显示器件亮度非均匀性校正的物理模型，并近似成相应的数学模型；给出了校正参量的优化算法，计算得到了由亮度非均匀性决定的显示器件的成品率与非均匀调制特性标准差的关系．

真空微电子平板显示器(FED)进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（FieldEmissionDisplay）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。

场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。

基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器

一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构，阴极和栅极位于同一基板平面上，并制作在沟槽壁上。发射材料用碳纳米管，用电泳法将碳纳米管移植于沟槽壁，也可以用原位选择生长法直接在沟槽壁长出碳纳米管。可以在沟槽壁阴极一侧排列碳管阵列，也可在两侧壁排列。

场致发射平板显示器之皎皎者——SED颖脱而出

去年底索尼和东芝退出PDP平板电视市场的传闻无疑是视频产品市场方面的重磅炸弹.尽管这两家公司并不承认全面退出PDP电视市场,但不再会加大对PDP电视的投资已是事实.2004年10月5日至9日,佳能和东芝新开发的36"SED试制板在[CEATEC JAPAN 2004]上公开露面表明了东芝平板电视市场开发的新动向.这种着手开发近20年,又秘密研发了5年的面向市场的产品来者不善.

现代战场上的平板显示器

介绍液晶显示器、场发射显示器、电致发光显示器和等离子显示器等平板显示器在现代战场上的突出作用。并依据技术发展趋势。

平板显示器中FED与OLED技术特性比较

从发光原理、物理结构、驱动电路和制作工艺上对场致发射显示器(field emission display,FED)和有机发光二极管(organic light Emitting diode,OLED)进行了详细的技术特性比较,并分析了各自的优缺点,为平板显示领域的研究提供了一定的理论基础。

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的场发射阴极材料,在平板显示领域具有潜在的应用价值．CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用．本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发,阐述了CNTs的场发射机制;详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响;介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用．