重金属离子的场增强富集装置构建及应用研究

基于场增强效应,结合固相萃取技术设计一种新型富集装置富集水中微量重金属离子;并采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)对富集的金属离子进行检测,实现微量金属离子的高倍富集。通过考察背景离子溶液浓度、富集时间、pH值、树脂用量等参数对富集的影响,优化富集装置设计与富集条件。采用此装置,水中Cu(Ⅱ)、Zn(Ⅱ)、Pb(Ⅱ)的富集倍数分别达到904倍,692倍,556倍,回收率在62.6%-84.2%之间,相对标准偏差为5.2%-9.4%。

飞秒激光作用下薄膜的阈值损伤到膜层剥落

在飞秒单脉冲激光损伤HfO_2/SiO_2薄膜样品实验中,随着激光能量密度升高,膜层从缺陷导致的点损伤发展到整层剥落,损伤区域轮廓由模糊变清晰.研究表明,尺度在纳米量级的颗粒缺陷会产生局部的场增强效应,该效应与薄膜干涉场叠加,造成了阈值损伤阶段损伤区域出现大量损伤点,且由于飞秒激光对包括缺陷在内的薄膜材料的本征损伤特性,使其损伤行为较为确定,随着激光能量的提升,薄膜出现更大面积的规则烧蚀区,此时干涉场的作用上升到主导地位,膜层的整层剥落行为掩盖了缺陷的诱导作用.

阴极发射不足引发微波管高压击穿现象的研究

关于阴极发射不足引发微波管高压击穿的机理一直缺乏相应的阐述。本文以一只高功率速调管为对象,记录了该管产生高压击穿时的阴极工作条件;计算了击穿点处阴极表面的静电场强度;找出了阴极边缘产生发射不足的原因;分析了发射不足对阴极发射点处电场分布的影响;论述了阴极边缘发射不足引发高压击穿的机理。研究表明,阴极边缘发射不足引起的发射点场增强效应、以及阴极边缘毛刺引起的场增强效应,共同作用使得微波管产生了高压击穿现象。

银纳米三角片二聚体的近场辐射分析

本文使用FDTD法对典型尺寸的银纳米三角片二聚体在不同偏振光源及不同聚集结构下的近场辐射特性进行了模拟计算,结果发现:不同光源偏振方向和粒子聚集结构能够显著影响银纳米三角片的辐射特性和场增强效应的空间分布。偏振方向垂直于边长时,三种聚集结构的场增强系数最大值均大于偏振方向平行于边长时的情况,并且在点对点结构下,两粒子的中间位置处具有最强的场增强效应。

粒子等离子共振对有机半导体共混体系中激发复合体荧光发射的作用

研究了具有局域等离子共振特性的金纳米岛状结构阵列对高分子材料共混体系中激发复合体荧光发射特性的影响.实验结果表明,当粒子等离子共振发生在激发复合体荧光光谱区时,其荧光发射的强度得到了显著增强,且荧光寿命也得以延长.可以认为,粒子等离子共振诱发的局域场增加了激子的扩散距离,利于在相分离界面处激发复合体的形成.