脉冲调制辐射场的场强测量

为实现大功率雷达所产生脉冲调制辐射场的准确测量,在对脉冲调制辐射场进行理论分析的基础上,提出一种基于选频法的测试方法.将频谱分析仪设置为零频率跨度模式,分辨带宽设置为10 MHz的最大带宽,利用该方法对模拟雷达所产生脉冲调制辐射场的场强测量进行了试验研究.此外,还通过模拟试验分析了电场探头法的局限性.结果表明,所提出的测试方法可对大功率雷达所产生脉冲调制辐射场的峰值场强、脉冲周期内的平均场强以及雷达旋转周期内的平均场强进行准确测量.对于二极管检波式电场探头,被测场强超过其真有效值(均方根值)量程时,测量结果比实际场强偏小,最大偏差超过了4 d B;热电偶式电场探头仅适用于平均场强的准确测量.

合肥地区地闪特征

根据观测资料 ,分析了利用闪电辐射场信号大容量采集系统观测到的合肥地区地闪回击特征。结果表明 ,每次地闪回击数频率分布并不表现为简单的指数衰减特征 ,回击数在 5次以下的各回击数出现频率几乎相当 ,单次回击地闪的比重只有约 1 5 %。平均地闪回击数为 4 .2次 ,观测到的最大回击数为 1 6次。地闪回击归一化电场强度近似服从对数正态分布。 1 69例首次回击平均电场强度为 9.3V·m- 1 (归一化到 1 0 0km ,下同 ) ,485例继后回击的平均电场强度只有 4 .5V·m- 1 。 480例继后回击与首次回击场强之比平均为 0 .6 ,有 1 8%地闪过程至少有一次比首次回击强的继后回击。相邻两次回击间隔时间呈现对数正态分布特征。观测到的最短回击间隔为 1 .6ms ,约 30 %的回击间隔 >1 0 0ms,在40～ 1 0 0ms之间的回击间隔比重约为 50 %。回击间隔时间与间隔前后回击相对强弱之间存在系统性的变化趋势 ,当两次回击间隔在 40ms以下时总是以‘前强后弱’的回击组合占主导地位 ,相反 ,当回击间隔时间增加到 >1 0 0ms时 ,约 55 %的回击间隔表现为‘前弱后强’的回击组合。

接地端热传导对聚酰亚胺内带电的影响

提出局部接地和传热模式下介质深层充电的建模方法,选取常用聚酰亚胺材料模拟空间高能带电粒子的辐照情况,研究了局部接地和传热情况下介质的深层充电特性。仿真结果表明:温度在183.15～363.15 K范围时,电位峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较大;温度在183.15～273.15 K范围时,场强峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较大;温度在273.15～363.15 K范围时,场强峰值受接地铜板直径和接地端温度的影响较小,但仍存在放电风险,场强峰值接近甚至超过10~6 V/m。仿真结果为星用热控材料的合理布局及太阳电池阵玻璃盖片的热防护和带电防护提供了参考。

Equivalent Doping Transformation Method for Predicting Breakdown Voltage and Peak Field at Breakdown of Epitaxial-Diffused Punch-Through Junction

Based on a new semi empirical analytical method, namely equivalent doping transformation, the breakdown voltage and the peak field of the epitaxial diffused punch through junction have been obtained. The basic principle of this method is introduced and a set of breakdown voltage and peak field plots are provided for the optimum design of the low voltage power devices. It shows that the analytical results coincide with the previous numerical simulation well.

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。

线性调频脉冲辐射场频域测量方法

针对当前缺乏线性调频脉冲辐射场频域测量技术的现状,分别提出了峰值检波、均方值根值检波下的测量和修正方法。首先,分别定义了两种检波方式下峰值场强修正系数,通过线性调频脉冲信号的功率推导和频域测量过程理论分析,完成了峰值场强修正系数的表征;然后,提出并采用电压因子和功率因子求解出峰值场强修正系数,从而实现了测量修正,并给出了测量参数的优选方法;最后,开展了实验验证。结果表明:提出的测量技术能够获得线性调频脉冲辐射场的频谱分布、峰值场强和平均值场强,并且突破了分辨率带宽的制约,场强测量绝对偏差不大于1 dB,证明测量方法有效可行,解决了频域准确测量线性调频脉冲辐射场的难题。