天线近场与远场性能测量比较

叙述了用一副Ku赋形反射面天线,把天线近场测量所得结果与这场测量所得结果进行比较,主极化方向图的一致性说明近场测量的可靠性。与理论分析也做了比较,说明近场测量结果与理论完全吻合。在交叉极化的测量方面,给出了与理论值的比较结果,在高交叉极化电平的分布趋势是一致的,但误差较大。天线正确的校准是减少误差的关键。

基于无量纲的三元露天采场性能评价体系研究

目前的采场性能评价方法得到的结果是有量纲的,无法比较形状和尺度不同的采场性能,而且对超欠采体的形状特征考虑不充分。针对该问题构建了一组无量纲的评价指标体系,并基于该指标对一些基本形状采场进行特征分析。指标由圆度(C)、延度(E)和半球度(H)组成,圆度(C)表示超欠采面的规则程度;延度(E)表示超欠采面的分散性及覆盖性;半球度(H)表示超欠采体的等效深度。研究确定了这3个无量纲指标值的范围及其划分语义和数值范围。该评价指标体系实现了评价方法、评价指标和评价标准的统一,进而实现了无量纲的采场性能比较。通过对4个模拟采场进行评价,得到了3个指标的评价值和语义,并确定了采场的潜在失效方式。

光束定向器中膜厚不均匀性对远场性能的影响

讨论ＤＦ（氟化）强激光系统光束定向器中的光学薄膜，用偏振光线追迹分析定向器出瞳主激光、信标光偏振态变化，计算膜厚不均匀性对远场性能的影响。

熔盐法制备大功率PMS-PZT压电陶瓷及强场性能研究

本文采用熔盐法制备了PMS-PZT压电陶瓷超细粉体,研究粉体粒度对PMS-PZT烧结特性和强场性能的影响.TEM结果表明,随着熔盐与粉体摩尔比逐渐增加,粉体粒度逐渐减小,当摩尔比超过5∶1,粒径大小几乎不变.当摩尔比为5∶1时,750℃预烧,可以获得分散性好粒径在0.2~0.3μm的超细粉体.摩尔配比为1∶1的粉体在1200℃条件下烧结制备的PMS-PZT压电陶瓷,可以获得最佳的综合性能：εr可达1 518,tanδ=0.515%（1 V/mm）,tanδ=2.62%（300 V/mm）,机电耦合系数kp可达0.65,压电常数d_（33）达到373 pC/N,机械品质因素Qm达到1 037.

Power Mac G4超速登场性能为最大卖点——共有400,450和500MHz三种频率,400MHz机型率先亮相

苹果电脑的新一代产品Power Mac G4终于正式亮相。它号称是迄今为止历史上最快的个人电脑,拥有强大的威力和处理速度。苹果电脑是在9月初的Seybold展览会上发表新的G4微处理器和应用此微处理器的个人电脑。新的G4微处理器有400、450和500MHz三种频率,首先登场的是400MHz机型,而10月以后还会陆续推出450和500MHz的机型。售价方面,从低级到高级分别在1599到3499美元之间。另外,随着450MHz机型搭售的还有新款22英寸超大型LCD,合售6498美元。苹果电脑表示,PowerMac G4最大的特点在于其性能,除了在许多应用程序的测试上速度超出Pentium Ⅲ电脑许多之外,G4微处理器每秒可执行十亿次浮点运算,相当于一部超级电脑的性能。在配备方面,高级的500MHz机型配备有DVD-RAM;而和iBook相同的是,只要选购AirPort

基于非形状及尺度的露天采场性能评价

采场性能是通过最大开采量和最小贫化率确定的.目前的评价方法得到的结果是基于尺度的,无法比较不同尺度采场性能,而且不能考虑超欠采体的形状特征.针对上述问题本文构建了一组与尺度无关的评价指标.研究已有的评价指标,对一些基本形状进行特征分析.提出用圆度(C)表示超欠采面的规则程度;用延度(E)表示超欠采面的分散性及覆盖性;用半球度(H)表示超欠采体的等效深度;用相对体积(Rv)总体评价采场性能.确定了这四个无量纲指标值的范围和各指标的划分语义及其数值范围.构建的评价指标体系做到了评价方法、评价指标和评价标准的统一,这样就实现了不同尺度采场性能的比较.通过对4个构造的采场进行评价,得到了四个指标的评价值和语义,最后确定了各自的潜在失效方式.结果表明该方法简单易行,结果符合实际情况.

Al掺杂T-ZnO晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将舢掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜，以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能．所有发光谱均由强的紫外光发射（发光中心集中在373-383nm）和宽的黄绿光发射（发光中心集中在510—540nm）组成．ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度．掺杂0．5mol／L的Al样品的紫外光强度最大，场发射性能最好，其开启电场和阈值电场分别达到0．74V／μm和2．6V／μm，场增强因子值为30249．

ZnO纳米材料制备及其场发射性能的研究

采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料。用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理。研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性。实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径。

模板法构筑氧化钼纳米棒阵列的结构与场发射性能研究

以聚碳酸酯(PC)膜为模板,结合溶胶凝胶法制备了直径为200nm的非晶态氧化钼纳米棒阵列;390℃热处理1h后转变为晶型良好且高度有序的MoO3.2H2O纳米棒阵列。利用XRD、TG-DSC、SEM和HRTEM测试手段分析产物的形貌与结构,同时发现该阵列具有较好的场发射性能。

La或N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算

采用化学气相沉积法和气相掺杂法,分别制备了La或N掺杂的Si C纳米线.利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线能量色散谱(EDS)分析和X射线衍射(XRD)等测试手段对两种产物的微观形貌、元素组成和物相结构进行了系统表征.以合成产物作为阴极,对其场发射性能进行测试,结果表明:Si C纳米线的开启电场值和阈值电场值由未掺杂的2.3、6.6 V*μm-1分别降低为1.2、5.2 V*μm-1(La掺杂)和0.9、0.4 V*μm-1(N掺杂).采用Material Studio软件中的Castep模块建立(3×3×2)晶格结构模型,对未掺杂、La或N掺杂Si C的能带结构和态密度进行计算,结果显示:La或N掺杂后,在费米能级附近产生了新的La 5d或N 2p掺杂能级,导致禁带宽度(带隙)变窄,使得价带电子更容易跨越禁带进入导带,从而改善Si C纳米线的场发射性能.

一维W纳米材料的场发射性能及其可控制备的研究进展

一维W纳米材料是一种新型的场发射材料,具有优异的场发射性能。介绍场致电子发射的基本原理及性能评价标准;讨论一维W纳米材料的6种制备方法:气相沉积法、电子束诱导法、蚀刻法、溅射法、自组装法和模板法;分析不同制备方法对场发射性能的影响;指出电场增强因子是决定一维W纳米材料场发射性能优劣的首要因素,设计制造出结构可靠、场发射性能优异、成品率高以及寿命长的一维W纳米材料器件是未来的研究重点。

射频功率对F-DLC薄膜结构及场发射性能的影响

采用射频等离子体化学增强型气相沉积法,以CF4和CH4为源气体,氩气为载气,在不同射频功率下制备了掺氟类金刚石(F-DLC)薄膜样品。用原子力显微镜观测了样品的表面形貌,用X射线光电能谱仪及拉曼光谱仪等表征方法对样品的键合结构进行了测试、分析。结果显示:薄膜表面致密均匀,射频功率增加,薄膜表面均方根粗糙度增大,膜内sp2杂化结构相对含量增加。样品的场发射性能测试显示:高射频功率下制备的F-DLC薄膜样品的场发射阈值低,场发射电流密度升高。其主要原因是:随着射频功率的增加,薄膜的表面粗糙度增大及薄膜的石墨化程度增加引起。

一维纳米氧化锌的场发射性能和光学性能研究

采用真空热蒸发法在不同的制备温度下,制备出了准阵列状和阵列状一维纳米ZnO结构。并利用X射线衍射、扫描电子显微镜、场发射测试仪、光致发光谱对ZnO纳米材料的结晶质量、形貌及场发射性能进行了分析研究。阵列状纳米氧化锌有较明显的择优生长取向。准阵列状纳米氧化锌的场发射性能优于阵列状纳米氧化锌。并通过对PL谱的对比分析得出,准阵列状纳米结构的结晶质量较好,阵列状纳米结构中存在的缺陷较多。

碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响

本文具体研究了外电场，碳纳米管自身线度，尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响，在均匀碳纳米管阵列模型下，从理论上给出碳纳米管阵列的尖端电场，电场增强因子以及最佳阵列密度的解析表示式，理论结果表明，电场增强因子的数量级为10^2－10^4，并且碳纳米管阵列的电场增强因子与其管密度之间有着敏感的依赖关系，即当密度取某一特殊值（又被称作最佳密度值）时，电场增强因子会明显增大，相对最佳密度而言，过高或过低的管密度都将削弱碳纳米管的尖端电场，进而晚管阵列的场发射性能。

分散剂对电泳沉积制备碳纳米管薄膜形貌和场发射性能的影响

采用丙酮、异丙醇、丙酮/无水乙醇混合溶液3种不同的分散剂,利用电泳沉积法在硅基底上制备了碳纳米管(CNTs)薄膜;采用超景深光学显微镜和电子显微镜观察了不同薄膜的表面形貌,并在高真空中对碳纳米管薄膜阴极进行了场发射特性测试。结果表明:以异丙醇作分散剂制备的CNTs薄膜表面均匀连续,场发射性能较好,开启电场和阈值电场分别为0.188V.μm-1和2.8V.μm-1。

移动窗口技术在复合材料弹性性能场表征中的应用

本文基于数字图像技术,采用移动窗口技术对非均匀复合材料弹性性能场进行了表征,分析了不同窗口尺寸对弹性性能场变异系数、随机场分布和相关系数的影响。结果表明:小的窗口尺寸导致计算得到的材料性能场出现非高斯分布,高变异性;大的窗口尺寸导致材料性能场局部变异性过分均匀化,非均匀材料的微结构局部信息丢失。为准确表征复合材料弹性性能场,必须选择合适的窗口尺寸。

氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法

研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能。测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌。结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cm2提高到106/cm2。发现了一种新的碳纳米管结构,称之为多结的碳纳米管,并讨论了样品发射性能提高的可能机理。这种处理提供了一种有效提高发射点密度和基于碳纳米管的平板显示器性能的方法,非常适用于低成本大面积场发射阴极的制作。

基于扫描电子显微镜的单根一维纳米材料原位场发射性能研究

基于扫描电子显微镜和纳米探针技术,展示了一维纳米材料原位场发射的测量方法和实例。实验以钨针尖为接收极,纳米材料为发射极,通过结合扫描电子显微镜的实时成像功能,纳米探针的精确操纵及电学测量技术以及激光辐照功能,系统研究了极间距离D、形貌变化、吸附气体和激光注入对单根多壁碳纳米管和氧化锌纳米线场发射性能的影响。结果表明,当D远小于纳米材料长度L的3倍时,D越小,开启场强和阈值场强越大,场发射性能越弱。此外,纳米线尖端曲率半径越大,场增强因子越小,场发射性能越弱。研究还发现O2的脱附和激光辐照有助于纳米材料场发射性能的提高。