双T型通道微流控芯片中场放大样品富集的数值分析

通过合理的简化和假设,建立了一个包括电势分布方程、缓冲溶液浓度方程和样品粒子电迁移扩散方程的一维数学模型,并应用有限元方法对该模型进行了求解.计算得到了富集过程中样品浓度峰值出现的时间和位置,给出不同时刻表面带正、负电荷样品粒子的分离效果,对缓冲溶液浓度比值不同时的富集效果进行了分析.该模型可为芯片上场放大样品富集过程提供一定的理论预测和指导.