微波场效应放大器的S参量设计与实验

S参量是描述微波晶体管特性较全面的参数,在现代技术条件下利用计算机控制的自动网络分析仪可迅速准确地测出微波晶体管的S参数。本文叙述了用S参量来设计中、小功率砷化镓微波场效应放大器的方法和实验研究测试结果。

结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源,首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式,估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声,为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。

X波段宽带低噪声场效应管放大器

本文介绍一种设计方法简单、调试方便、性能优良的x波段宽频带低噪声场效应晶体管放大器的设计研制过程。该放大器采用常用的单端式放大器方案,并通过一些调试技巧,使之达到令人满意的结果。其性能指标:频率范围8～12GHz;工作带宽大于2GHz,噪声系数小于3dB,功率增益大于30dB;带内平坦度优于1dB。体积175×48×30mm^2;重量400g。

微波放大器稳定性分析与设计

提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤,总结了放大器稳定性设计方法。

11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。

一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器

基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。

末级采用UHC MOS-FET的混合型功率放大器

就像原本用于稳压器的6C33-B一类真空管一样,超大电流(UHC)MOS-FET的开发目的也不是为了音频用途。但由于它们具有电流大、内阻小的优点,都非常适合在音频功率放大器中担当末级功率放大器件。如果在功率放大器中每一级都选用最佳的放大器件,那么功率放大器的性能一定会更上一层楼。

含另子、任意子电网络在FET放大电路中的应用

一、含另子与任意子的电网络 关于另子与任意子的作用,可从图1(a)所示的放大能力为无限大的理想放大器的等动电路[见图1(b)]中看出,其输入端口可用一个另子来等效。