结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源,首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式,估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声,为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。

末级采用UHC MOS-FET的混合型功率放大器

就像原本用于稳压器的6C33-B一类真空管一样,超大电流(UHC)MOS-FET的开发目的也不是为了音频用途。但由于它们具有电流大、内阻小的优点,都非常适合在音频功率放大器中担当末级功率放大器件。如果在功率放大器中每一级都选用最佳的放大器件,那么功率放大器的性能一定会更上一层楼。

一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器

基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。

含另子、任意子电网络在FET放大电路中的应用

一、含另子与任意子的电网络 关于另子与任意子的作用,可从图1(a)所示的放大能力为无限大的理想放大器的等动电路[见图1(b)]中看出,其输入端口可用一个另子来等效。