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场热电子发射与场热电子显示屏FTD
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作者 罗恩泽 罗宏 +1 位作者 吴正军 罗伟 《现代显示》 2004年第2期55-58,共4页
由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阴极射线... 由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阴极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。 展开更多
关键词 场热电子发射 热电子显示屏 FTD 平板显示器 发射电流
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大屏幕场助热电子发射平板显示 被引量:5
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作者 李德杰 《真空电子技术》 2002年第6期1-5,共5页
有源矩阵驱动的平面场发射阴极是大屏幕显示的主要候选部件。阴极结构、材料组分以及结晶状态强烈地影响电子发射。选择具有低功函数的上电极材料 ,并且引入界面态控制层将能够降低驱动电压和提高电子发射率。
关键词 平板显示 发射 有源阵列 金属-绝缘体 热电子发射显示 工作原理
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10英寸场助热电子发射显示屏的制作
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作者 华缜 王红光 +2 位作者 李德杰 张羿 刘红君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期79-82,共4页
讨论了金属-绝缘体-半导体-金属结构的场助热电子发射显示(FAHED)器件的制作原理,简述了Mo/Ta2O5/ZnS/Au结构的10英寸FAHED的制作.通过电子束蒸发具有低功函数的上电极材料,适当控制其厚度,并且控制半导体层合适的厚度和成膜条件可以提... 讨论了金属-绝缘体-半导体-金属结构的场助热电子发射显示(FAHED)器件的制作原理,简述了Mo/Ta2O5/ZnS/Au结构的10英寸FAHED的制作.通过电子束蒸发具有低功函数的上电极材料,适当控制其厚度,并且控制半导体层合适的厚度和成膜条件可以提高器件的电子发射率至0.3%. 展开更多
关键词 热电子发射显示 金属-绝缘体-半导体-金属 10英寸 发射
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基于CPLD的场助热电子发射静态显示驱动系统
4
作者 王恒 胡思正 《微处理机》 2006年第5期9-11,14,共4页
主要介绍了新型的平面显示技术———场助热电子发射显示的一种基于CPLD的静态多灰度驱动系统,以及两种芯片:双极性串并转换器HV6008和多灰度串并转换器HV633的工作原理和在该系统中的应用。
关键词 显示驱动电路 热电子发射 CPLD HV6008 HV633
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低电子亲和势的场助热电子发射阴极 被引量:1
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作者 李德杰 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期461-465,469,共6页
具有金属 /绝缘层 /半导体 /金属结构的场助热电子发射阴极是大屏幕显示器中的主要候选部件。电子发射受到各层薄膜的厚度、材料组分和结晶状态等的严重影响。由Au/Ag双层薄膜构成的上电极使得电子亲和势降低0 .5 e V,发射电流提高了数... 具有金属 /绝缘层 /半导体 /金属结构的场助热电子发射阴极是大屏幕显示器中的主要候选部件。电子发射受到各层薄膜的厚度、材料组分和结晶状态等的严重影响。由Au/Ag双层薄膜构成的上电极使得电子亲和势降低0 .5 e V,发射电流提高了数倍。半导体材料 Zn1 - x Mgx O具有低的电子亲和势以及适合电子注入的带隙宽度 ,并且已经较为容易地用溅射方法制备。上电极和半导体层之间的晶格匹配可以降低电子在界面上的散射 ,对提高发射电流是很重要的 ,这已经在 Zn1 - x Mgx O/Au和 L i F/Au界面上实现。在绝缘层和半导体层之间引入界面态控制层可以大大降低驱动电压 。 展开更多
关键词 数字高清晰度电视 电子亲和势 热电子发射阴极 大屏幕显示器 溅射 半导体
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多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 被引量:1
6
作者 胡云峰 李斌 《电子器件》 CAS 2008年第4期1104-1108,共5页
泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和... 泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。模型适合于电路仿真器。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 热电子发射 解析模型
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Preparation of diamond/Cu microchannel heat sink by chemical vapor deposition 被引量:2
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作者 刘学璋 罗浩 +1 位作者 苏栩 余志明 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期835-841,共7页
A Ti interlayer with thickness about 300 nm was sputtered on Cu microchannels, followed by an ultrasonic seeding with nanodiamond powders. Adherent diamond film with crystalline grains close to thermal equilibrium sha... A Ti interlayer with thickness about 300 nm was sputtered on Cu microchannels, followed by an ultrasonic seeding with nanodiamond powders. Adherent diamond film with crystalline grains close to thermal equilibrium shape was tightly deposited by hot-filament chemical vapor deposition(HF-CVD). The nucleation and growth of diamond were investigated with micro-Raman spectroscope and field emission scanning electron microscope(FE-SEM) with energy dispersive X-ray detector(EDX). Results show that the nucleation density is found to be up to 1010 cm-2. The enhancement of the nucleation kinetics can be attributed to the nanometer rough Ti interlayer surface. An improved absorption of nanodiamond particles is found, which act as starting points for the diamond nucleation during HF-CVD process. Furthermore, finite element simulation was conducted to understand the thermal management properties of prepared diamond/Cu microchannel heat sink. 展开更多
关键词 chemical vapor deposition microchannel nanoseeding Ti interlayer Cu substrate
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基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究 被引量:3
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作者 刘杰 郝跃 +3 位作者 冯倩 王冲 张进城 郭亮良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3483-3487,共5页
基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此... 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 展开更多
关键词 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子发射
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Chelating agents role on phase formation and surface morphology of single orthorhombic YMn_2O_5 nanorods via modified polyacrylamide gel route 被引量:4
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作者 WANG ShiFa ZHANG ChuanFei +4 位作者 SUN GuangAi CHEN Bo XIANG Xia DING QingPing ZU XiaoTao 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2014年第3期402-408,共7页
YMn2O5nanorods were synthesized through a modified polyacrylamide gel route.The synthesis strategy in this work is based on a sol-gel process using a polyacrylamide gel method in which oxalic acid,citric acid or tarta... YMn2O5nanorods were synthesized through a modified polyacrylamide gel route.The synthesis strategy in this work is based on a sol-gel process using a polyacrylamide gel method in which oxalic acid,citric acid or tartaric acid is employed as the chelating agent.In the gel routes,oxalic acid was used as a carboxyl chelating agent,while citric acid or tartaric acid was a carboxyl and hydroxyl chelating agent.The as-prepared samples were characterized by means of techniques such as X-ray powder diffraction(XRD)measurement,thermogravimetric analysis(TG),differential scanning calorimetry analysis(DSC),Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR),X-ray photoelectron spectroscopy(XPS),thermal expansion measurement and field-emission scanning electron microscopy(SEM)investigations.It was found that oxalic acid is the best chelating agent with Y(NO3)3·6H2O and Mn(CH3COO)2·4H2O as precursors to prepare a single orthorhombic YMn2O5nanorods at 1000°C.Scanning electron microscope observation shows that the morphology of YMn2O5powders is significantly dependent on the chelating agent.The peaks(single orthorhombic YMn2O5nanorods)at 642,600,573,546,521,493,486,468,448 and 400cm?1were observed from FTIR spectra.The phase,surface morphology and chelation mechanisms of YMn2O5samples have been discussed on the basis of the experimental results. 展开更多
关键词 YMn2O5 chelating agent thermal expansion NANORODS
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