低维碳基纳米材料的场电子发射特性

利用等离子辅助化学气相沉积技术制备了一系列低维碳基纳米材料,如碳纳米管、碳纳米管锥及金刚石纳米锥等,由于其优异的力学、热学及电学特性,而成为真空场致电子发射的优选材料。本文介绍在单根和阵列结构低维碳基纳米材料的场电子发射特性及发射机制上的研究进展,并探讨这一领域今后的发展趋势。

陶瓷Al4C3薄膜厚度依赖的场发射特性研究

采用简单的热化学输运方法,通过控制生长温度和时间,在钨箔上制备了不同厚度的Al_4C_3薄膜.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和拉曼光谱分析等手段对样品的形貌和结构进行了系列表征.场电子发射测试表明,厚度为300 nm、600 nm和1 000 nm的Al_4C_3薄膜的开启电压分别为4.2 V/μm、5.8 V/μm和8.6 V/μm(发射电流10 A/cm^2).这种现象可归因于绝缘Al_4C_3层的厚度和空间电荷效应引起的电子输运能力差异.