新型可印刷FED场致发射显示器的研制

介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300cd/m2,对比度已达400。并讨论了FED显示器今后可能的发展方向。

场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展

场发射显示器 (FED) 是一种新发展起来的平板显示器,它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了 FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求,然后介绍了 FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关 FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作,最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。

FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。

场发射显示屏（FED）的基本原理及结构设计

简要介绍ＦＥＤ的基本原理、结构设计。

碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)封接关键技术的研究

碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)现已成为场发射研究的热点。本文研究了碳纳米管场发射显示器件在其真空封接过程中出现的碳纳米管丢失的问题,对碳纳米管场发射显示器件的封接方法提出了一些改进,并提出一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构,有效的解决了真空封接过程中的碳纳米管丢失的问题,为碳纳米管场发射显示器件(CNT-FEDs)的发射均匀性,改善区域之间的亮度差异及延长使用寿命提供了保证。

碳纳米管场致发射显示(CNT-FED)的新型灰度等级调制方式

碳纳米管在显示领域的一个比较重要的应用就是作为场发射显示器件的发射体.和其他平板显示器件一样,矩阵寻址方式也通常被用作为CNT-FED的驱动方式.本文主要探讨平板显示中的几种常见的灰度等级实现方式,特别提出根据现有的工艺条件,用脉冲宽度调制(PWM Pulse width modulation)方式实现二极管结构CNT-FED的32级灰度调制.

场致发射显示（FED）器件的制屏新工艺

制屏工艺对FED器件的显示性能有极大的影响，本文介绍了最近开发的制作FED器件荧光屏的新工艺。

从2007 SID年会看场致发射显示器(FED)的发展前景

每年5月，由显示协会（SID）组织的世界规模的显示技术讨论会与展览会在美国西海岸的一个城市举行，今年的第45届SID年会在美国加州长滩（LongBeach）会议中心举行。会议共收到论文摘要702篇，其中有489篇人选本届讨论会。489篇论文中有279篇在67场专题报告会中口述，其余210篇于5月23号下午集中在一个大厅中，以张贴形式发表，作者与读者进行面对面讨论。

光刻胶在场发射显示器(FED)制备中的应用

论述了光刻胶在场发射显示器制备中的应用,采用丝网印刷技术将光刻胶转移到镀有金属薄膜的玻璃基片上,利用紫外光对其进行光刻,通过视频显微镜对每一步实验过程进行观察和测试,以确定最佳实验工艺。结果表明,利用200目的丝网将光刻胶印刷至基片上,在85℃下保温60分钟,曝光55s,采用1%的25℃碳酸纳显影60s,110℃下固膜30分钟后,蚀刻出的金属电极精细整齐,为制备FED精细电极奠定了基础。

从2007 SID年会看场致发射显示器(FED)的发展前景

每年5月，由显示协会（SID）组织的世界规模的显示技术讨论会与展览会在美国西海岸的一个城市举行，今年的第45届SID年会在美国加州长滩（Long Beach）会议中心举行。会议共收到论文摘要702篇，其中有489篇入选本届讨论会。489篇论文中有279篇在67场专题报告会中口述，其余210篇于5月23号下午集中在一个大厅中，以张贴形式发表，作者与读者进行面对面讨论。

场发射显示器（FED）用发光材料

本文综述由于场发射显示器的低压大电流密度工作特点应选用具有一定电导率、小颗粒尺寸、高效、电流饱和特性优良、耐大电流密度轰击的低压荧光粉，以及ＦＥＤ荧光粉的现状。提出新材料、新方法及新工艺和纳米发光材料应用在ＦＥＤ领域中的重要性。

异军突起的场发射显示器(FED)

本文介绍了场发射显示器(FED)的发展概况、技术优势及发展前景。

我国研制成功FED场发射平板显示器

郑州大学材料物理重点实验室“金刚石——碳膜冷阴扳场发射平板显示器”项目．在张兵临教授的带领下，经4年多努力，终于研制成功我国平面型FED场发射平板显示器，赶上世界上目前正处于边研制边开发阶段的先进水平，为进一步开发数码管、复合字符屏、大屏幕电视像素管以及其它显像方面的应用奠定了基础。

场致发射显示技术研究进展

首先回顾了 Spindt型微尖场发射技术 ,介绍了场发射显示技术的发展过程、器件结构和工作原理 ,讨论了目前这项技术所面临的问题 ,着重介绍了近两年来在场发射显示技术研究领域的最新进展 ,包括纳米碳管和复合材料在

纳米碳管阴极的场致发射显示研究

以热化学气相沉积法制备的多壁纳米碳管为场发射材料 ,采用一种简易的喷涂法将其制备为场发射阴极 .首先 ,将纯化后的纳米碳管与乙醇和丙酮溶液 (体积比为 9∶1 )进行混合 ;然后用喷枪将经过超声处理的悬浊液喷涂在具有ITO薄膜的玻璃基底上 ,制备了 30mm× 2 0mm大小的纳米碳管阴极 ,并进行了场致发射特性实验 ,制作了场发射显示板 .该二极结构的场发射开启场强为 3 2V/ μm ,发射电流密度可达 3A/m2 .此显示板具有稳定的发射电流和很高的亮度 。

常开型后栅极场致发射显示板工作特性的研究

常开型后栅极场致发射显示板是一种新型的场致发射器件。它直接利用阳极使阴极产生场致电子发射 ,而通过埋在阴极之下的栅极上施加负电压来阻止阴极产生场致电子发射来调制显示所需的图像。为了研究该场致发射显示板的阴极发射特性 ,本文采用有限元法对场致发射区域内的电场分布进行了模拟计算 ,用Fowler Nordheim(F N)公式计算了阴极表面的发射情况。并研究了阳极电压、阴极电压、阴调距、阴极宽度和阴极厚度等参数的改变对阴极发射特性和栅极调制能力的影响。计算结果显示阴极发射特性和栅极调制能力与上述电参数和结构参数关系密切 ,从而为优化设计这种显示器件提供了方向。

碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装

通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹性装配技术还具有通过拼接得到大面积阴极的潜力 .采用这套技术 ,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品 .

一种基于碳管场发射显示器结构分析

用边界元法 (BEM )和MonteCarlo方法就一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的可行性进行了理论分析 ,通过模拟跟踪发射电子轨迹 ,证实设计的显示器结构能够满足高分辨率显示的要求 ,而且驱动电压低、工艺简单 ,尤其和日本Cannon公司的M .Okuda等人提出的表面传导型场发射显示器结构相比 。

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的场发射阴极材料,在平板显示领域具有潜在的应用价值．CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用．本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发,阐述了CNTs的场发射机制;详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响;介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用．