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《中国光学》
EI
CAS
2003年第3期72-73,共2页
O462.4 2003032146钼尖场致发射阵列阴极的性能研究=Properties of Mofield emission arrays[刊,中]/冯进军(北京真空电子技术研究所.北京(100016)),丁明清…∥液晶与显示.—2002,17(1).—39-43利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼...
O462.4 2003032146钼尖场致发射阵列阴极的性能研究=Properties of Mofield emission arrays[刊,中]/冯进军(北京真空电子技术研究所.北京(100016)),丁明清…∥液晶与显示.—2002,17(1).—39-43利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流。
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关键词
场
致发射
阵列阴极
性能研究
场致发射电流密度
场
发射
阵列阴极
多晶硅薄膜晶体管
微细加工技术
技术研究所
数据采集
真空系统
液晶
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题名
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第3期72-73,共2页
文摘
O462.4 2003032146钼尖场致发射阵列阴极的性能研究=Properties of Mofield emission arrays[刊,中]/冯进军(北京真空电子技术研究所.北京(100016)),丁明清…∥液晶与显示.—2002,17(1).—39-43利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流。
关键词
场
致发射
阵列阴极
性能研究
场致发射电流密度
场
发射
阵列阴极
多晶硅薄膜晶体管
微细加工技术
技术研究所
数据采集
真空系统
液晶
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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《中国光学》
EI
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