钼尖场致发射阵列阴极的性能研究

利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析 ,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电 ,尖锥和栅极孔间的暗电流 ,电极间的放电和放气 ,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等。

提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究

在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。

场致发射阵列阴极电子枪的设计及模拟研究

讨论了微波管用电子枪的一般参数和要求 ,对于在微波管中应用场发射阵列阴极电子枪的情况作了分析 ,表明其中存在的主要问题是电子注散焦。通过比较场发射电子注聚焦的几种方法 ,利用传统电子枪整体聚焦的思想 ,初步设计了一个场发射阵列阴极电子枪模型 ,它包括场致发射阵列阴极 ,一个Whelnelt电极 ,一个聚焦电极和一个阳极。通过利用Mafia软件对电子注轨迹的模拟计算 ,对电子枪的聚焦部分进行了改进。

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。

硅场致发射阵列的工艺研究

介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。

场致发射阵列真空荧光平板显示屏的研究

本文简叙了场致发射阵列真空荧光平板显示屏的发展概况,分析了这种显示器件的工作原理和驱动方式,并就这种器件的结构和工艺进行了讨论。最后,针对场致发射阵列真空荧光平板显示屏存在的问题,提出了今后改进的措施。

场致发射硅尖阵列的研制

研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性.

掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究

提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。

平板显示用场发射冷阴极材料

简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理,全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料,其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发射阵列、金刚石及其相关薄膜、碳纳米管和纳米纤维、一维纳米材料、碳化物、氮化物薄膜等。并展望了场致发射显示器件的发展前景。

场致发射显示屏及其产品设计的相关技术

本文全面介绍发场致发射显示屏（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）的研制历史和最新进展；系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。

FEA场发射微尖的一些氮化物薄膜

一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性 能，适合于用作ＦＥＡ发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与性 能方面的介绍。

真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景

真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。

FED的新材料——碳微管薄膜

介绍了一种制作 FED器件的新材料——碳微管薄膜 ,并对其制作。

FEA用的非晶态金刚石碳薄膜

文章对用于FEA的非晶态金刚石碳膜的制备、测量、场致发射特性以及发射性能改良的掺氧非晶态金刚石碳薄膜作了介绍。

真空微电子压力传感器的研制

提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2,起始发射电压为0.5～1V,反向电压≥25V,当正向电压为5V时,单尖发射电流为0.2nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa。

《液晶与显示》2002年和2003年刊登的主要论文题名

为使广大读者更多地了解《液晶与显示》 ,现将 2 0 0 2年和 2 0 0 3年在本刊发表的主要论文题名刊出。您若想了解有关论文的详细内容 ,可到当地图书馆查阅或通过网上阅读 (网址请看本刊目次页 (英文 ) ) ,也可直接与本刊编辑部联系 ,我们将竭诚为您服务。联系方法与地址请见本刊封底。—编者—

《液晶与显示》2002年和2003年刊登的主要论文题名

为使广大读者更多地了解和利用《液晶与显示》 ,现将 2 0 0 2年和 2 0 0 3年在本刊发表的主要论文题名刊出。您若想了解有关论文的详细内容 ,可到当地图书馆查阅或通过网上阅读 (网址请看本刊目次页(英文 ) ) ,也可直接与本刊编辑部联系 ,我们将竭诚为您服务。联系方法与地址请见本刊封底。

其他

O462.4 2003032146钼尖场致发射阵列阴极的性能研究=Properties of Mofield emission arrays[刊,中]/冯进军(北京真空电子技术研究所.北京(100016)),丁明清…∥液晶与显示.—2002,17(1).—39-43利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流。

微细加工技术与设备

TN305 2002010716场致发射阵列制作工艺的研究=Study of fabricationprocessing of field emitter arrays[刊,中]/周洪军,尉伟,洪义麟,徐向东,陶晓明,霍同林,付绍军,裴元吉(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230026)),Chu Jiaru(Surface and Interface Division Department