稀土合金Gd_5(Si_xGe_(1-x))_4(0.24

基于对室温磁致冷材料稀土合金Gd5(SixGe1-x)4(0.24<x≤0.5)主要实验结果的分析与研究,提出了该系合金场诱导相变的一个理论描述。按照Landau Devonshire理论和次晶格假设,合理地解释了该系合金的磁行为,并且其数值结果与实验数据较为一致。

真空场诱导的量子相干性对Λ-型三能级原子的探测光的吸收和散射的影响

用数值方法考察了在真空场诱导的相干性存在的条件下,探测路径和耦合路径上的非相干粒子数抽运对探测光的吸收和散射的影响.在耦合路径上的抽运抑制了探测光的透明.当耦合路径上的衰变率大于探测路径上的衰变率时,探测路径上的抽运导致了非逆转增益现象的产生.当真空场诱导的相干性存在时,增益图像被倒置了.当耦合路径上的衰变率等于探测路径上的衰变率时,仅当真空场诱导的相干性存在时才有增益现象.

Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜外场诱导自旋输运特性

采用脉冲激光沉积法制备了稀土掺杂钙钛矿锰氧化物Pr_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3(PSMO)外延薄膜,研究了薄膜在磁场、激光和电流作用下的自旋输运特性.在低温铁磁金属相,激光作用使薄膜的电阻增大,而磁场和电流则诱导电阻减小;在高温顺磁绝缘态,外场诱导均使电阻减小.在铁磁金属相,外场诱导输运特性的变化可归结于外场对体系电子自旋系统的影响:磁场和电流加强材料中e_g电子和t_(2g)局域电子间的自旋平行,增强了双交换作用;激光作用可产生光致退磁效应,减弱双交换作用.在顺磁绝缘态,场致电阻降低源于外场致使小极化子的退局域化效应.

化合物Gd_(1-x)La_xMn_2Ge_2(x=0.06,0.07)中场诱导的反铁磁→铁磁一级磁相变

在脉冲强磁场中测量了Gd1-xLaxMn2 Ge2 (x =0 .0 6 ,0 .0 7)化合物在不同温度下的磁化曲线。结果表明 ,当这些化合物处于反铁磁状态的温度范围内时 ,Mn次晶格中发生了场诱导的从反铁磁状态到铁磁状态的一级磁相变。随着温度的降低 ,相变临界磁场逐渐增大 ,达到最大值后 ,随着温度的进一步降低 ,临界磁场很快减小 ;随La含量的增加 ,相变临界磁场也很快减小。在交换相互作用的分子场模型基础上 ,考虑层面间Mn Mn交换作用随晶格常数a以及温度的变化 ,从理论上计算了这种场诱导的反铁磁→铁磁一级磁相变所对应的临界磁场 ,理论计算结果较好地描述了临界磁场随温度的变化规律。

场诱导纳米富勒烯碳的合成

场诱导纳米富勒烯碳的合成陶景光，廖兆曙（华中理工大学）１９９０年Ｗ．Ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ等人在实验室分离出碳的第三种同素异构体碳６０，由此开拓了碳、硅等三维原子团簇固态分子晶体研究的新领域，各国学者从各方面开展了大量的工作。不久以前Ｓ．ｌｉｊｉｍａ、...

磁场诱导有序排列和自组装的研究进展

磁场是一种无接触的、新型的物理场,粒子受到这种物理场的作用会发生取向形成有序结构,从而赋予材料新颖的光、电、磁等特性。综述了在磁场作用下粒子有序排列和自组装的研究进展。

场诱导软物质智能材料研究进展

场诱导软物质智能材料是指一类能够响应场作用并引起整个系统的量乃至质的改变的软物质材料.在场(磁场、电场、温度或者光等)的诱导下,材料内部微结构发生化学或者物理变化,从而导致材料某些宏观性质(机械、光学等)出现较大的变化,以达到某种智能控制的目的.本文系统介绍了磁流变液、电流变液以及高分子凝胶等几种典型的场诱导软物质智能材料,回顾了该领域近几年的研究及其应用进展,探讨了研究的前沿问题及发展趋势,特别指出了软物质智能材料的研究及应用呈现出的复杂性和跨学科性,需要各个学科的协同发展,才可能取得突破性进展.

空场诱导相干性对倒转Y-型四能级原子系统中单光子和双光子吸收性质的影响

当倒转Y-型四能级原子的两基态能级邻近简并时,连接基态的两个跃迁路径与同一个真空辐射场相互作用便导致了空场诱导相干性.空场诱导相干性能使该原子在探测光共振点处的单光子和双光子电磁诱导透明现象减弱,而在其它失谐量处会导致单光子增益现象.同时,外加相干光场的相对相位对原子的吸收性质也有重要影响.

在三能级Λ系统中空场诱导相干性对介质吸收和色散性质的影响

由于两基态能级邻近简并的三能级Λ型原子系统与空场的相互作用,该原子的两个跃迁之间会产生空场诱导相干性.该相干项对原子系统的吸收和色散性质有重要影响.另外,由于空场诱导相干性的存在,原子的光学性质还与外加相干场的相位有关.

静电场诱导光刻技术实现曲面光栅结构的制备

利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42μm,线宽是13.35μm,高宽比高于3∶1.结果表明借助静电场诱导光刻技术可以在曲面基底上利用小高宽比的微结构模板制备出大高宽比的微结构.

空场诱导相干性对K-型五能级原子系统单光子和双光子吸收性质的影响

当K-型五能级原子的两基态能级邻近简并时,连接基态的两个跃迁路径与同一个真空场辐射场相互作用导致的量子干涉效应便产生了空场诱导相干性。空场诱导相干性对K-型五能级原子系统的单光子和双光子电磁诱导透明有重要的影响。

上海硅酸盐所在铁电陶瓷外场诱导相变特性与机理研究中取得新进展

据中科院上海硅酸盐所网站报道，最近，中国科学院上海硅酸盐研究所董显林研究员带领的课题组在PZT95／5型铁电陶瓷的电畴翻转和铁电相变研究等方面取得了新进展。他们对PZT95／5型铁电陶瓷在不同电场、温度和频率下的电滞回线（P—E）进行了系统测试和分析，发现极化过程与在不同电场作用下空间电荷的聚集、畴的成核和畴壁运动等密切相关；通过理论拟合，发现其电滞回线面积、剩余极化强度和矫顽场与频率、电场和温度均很好地满足幂函数关系。

熔融石英的热及电场诱导模型

采用多载流子模型,分析了熔融石英在空气中热及电场诱导的物理过程,证明了耗尽区是由正带电层、电离层和负耗尽层组成.前两者的空间电荷是H3O+,O+和Al++等,后者的空间电荷是≡Si—O-.电离层的强弱决定了耗尽区的热稳定性.推导了耗尽区的离子浓度分布,结果表明,正、负空间电荷层近似均匀分布,耗尽区的自建电场近似三角状分布,它的最大值在石英样品内部.采用该模型可证明,二阶极化率和二次谐波的转换效率与诱导时所加外界电压分别成平方根和平方关系.

真空场诱导相干对梯形四能级原子系统中单光子和双光子透明的影响

当一个梯形四能级原子系统的中间两个能级分别与真空辐射场相互作用耦合到基态和激发态时,自发衰变路径间的量子干涉效应导致了V和Λ型的真空场诱导相干(VIC)。利用半经典理论,分别讨论了这两种类型的VIC对单光子和双光子电磁诱导透明的影响,并发现Λ型的真空场诱导相干增强双光子的吸收,而对单光子的吸收几乎无影响;V型的真空场诱导相干抑制单光子和双光子的吸收。

飞秒激光相干场诱导材料功能微结构

飞秒激光在整个脉冲宽度内具有极好的相干性,因而当从同一光束分出的两束或两束以上的光束时间与空间上实现相互叠加时将会形成强度周期性调制的电磁场.这种周期调制的电磁场与材料产生相互作用,能诱导出相应的周期微结构.最近通过两束或两束以上飞秒激光干涉诱导功能微结构得到了广泛研究.文章综合了国内外飞秒激光研究小组在干涉诱导微结构方面的一些最新成果以及作者在这方面开展的工作,对飞秒激光干涉技术的原理及其在诱导微结构方面的应用进行了介绍.

金属间化合物DyMn2Ge2的自发磁相变和场诱导的磁相变

在10—800K的温度范围内用X射线衍射方法测量了DyMn2Ge2化合物的晶格常数与温度的变化关系，观察到高温时DyMn2Ge2由顺磁状态到反铁磁状态的自发磁相变伴随着晶格常数a的负的磁弹性异常现象. 在4.2K—200K的温度范围内测量了DyMn2Ge2的交流磁化率. 在交换相互作用的分子场模型近似下，从理论上分析讨论了DyMn2Ge2的低温自发磁相变和场诱导的磁相变. 计算了DyMn2Ge2单晶的磁化强度与温度的变化关系以及不同温度下外磁场沿晶轴c方向时的磁化曲线. 理论分析和计算结果表明，温度低于33K时在DyMn2Ge2中观察到的场诱导的一级磁相变为由亚铁磁状态(Fi)到中间态(IS)相变.

诱导磁场对化学沉积Co-Ni-P薄膜磁性能的影响

采用化学湿法沉积技术制备了CoNiP磁性薄膜,研究了施镀过程中的诱导磁场对CoNiP薄膜磁性能和结构的影响。研究结果表明,随着施加诱导场强度的增加,CoNiP薄膜的矫顽力先增加,然后减小;当磁场强度为1300 Oe时,薄膜的矫顽力达到了751.7 Oe,比未施加磁场时提高了约28%。X射线衍射结果表明,Co-N-i P薄膜晶粒沿磁场方向生长,其c轴沿薄膜的轴向形成了很强的Co(002)织构。扫描电子显微镜表面形貌观察表明,随着磁场强度的增加,胞状颗粒逐渐增多,晶粒尺寸变小,颗粒之间结合紧密。诱导磁场对CoNiP薄膜的磁性能有良好的促进作用,这为进一步开发高性能的磁电传感器奠定了一定基础。

汽泡生长诱导的速度场

通过使用Ａｐｏｌｏｎｉｕｓ保角变换和Ｆｏｕｒｉｅｒ级数方法，获得了静止流场中汽泡生长过程中的诱导速度场。

诱导规范场的Aharonov－Bohm效应和Suter实验中的几何相因子

结合诱导规范场的概念，分析了诱导规范场的Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ效应。给出了Ｓｕｔｅｒ实验中规范势与Ｂｅｒｒｙ相因子、规范势与Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ａｎａｎｄａｎ相因子之间的关系。