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三聚噻吩的表面光电压谱研究 被引量:3
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作者 曹昌盛 王策 +2 位作者 曹亚安 史延慧 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1010-1012,共3页
采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为 .结合三聚噻吩的 UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论 ,指认了三聚噻吩能级跃迁性质 ,即 3 80 nm附近的峰为带 -带跃迁峰 ,4 47,4 65和 60 0 nm附... 采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为 .结合三聚噻吩的 UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论 ,指认了三聚噻吩能级跃迁性质 ,即 3 80 nm附近的峰为带 -带跃迁峰 ,4 47,4 65和 60 0 nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁 ;而在 770和 90 0 展开更多
关键词 三聚噻吩 极化子 表面光电压 诱导表面光电压 电子运动 电子跃迁
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掺铁TiO_2的X-射线衍射和表面光电压谱研究
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作者 段晓东 孙德智 +4 位作者 齐虹 朱质彬 史鹏飞 徐金杰 王德军 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期411-413,共3页
以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。结果表明 ,在掺铁量小于 0 .0 0 7(Fe/Ti摩尔比 )范围内 ,随着掺铁比的逐渐提高 ,催化剂粒径逐渐增大 ,催化剂的带隙宽度加大 ... 以溶胶 -凝胶法制备了不同掺铁比例的 Ti O2 膜光催化剂 ,分别以 X-射线衍射和场诱导表面光电压谱进行表征。结果表明 ,在掺铁量小于 0 .0 0 7(Fe/Ti摩尔比 )范围内 ,随着掺铁比的逐渐提高 ,催化剂粒径逐渐增大 ,催化剂的带隙宽度加大 ,光电压响应阈值蓝移 ,预示着实际应用中催化剂的催化活性的提高。但随着催化剂掺铁比例的进一步提高 ,Fe2 O3相的出现将导致光催化剂在长波处出现光伏响应 。 展开更多
关键词 TIO2 掺铁 X-射线衍射 诱导表面光电压
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系列Cu(Ⅱ/Ⅰ)配合物的制备及其表面光电压 被引量:3
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作者 张丽 牛淑云 +3 位作者 金晶 孙丽萍 杨光第 叶玲 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期236-240,共5页
采用水热法合成了{[Cu(phen)(H2O)(o-tpha)].H2O}n(1),[Cu2Cl4(phen)2](2),[Cu4Cl4.(bipy)2](3)和[Cu2Cl2(phen)]n(4)(bipy=2,2′-bipyridyl,phen=1,10-phenanthroline,o-H2tpha=o-phthalicacid)4个铜配合物.X射线单晶衍射结果表明,配合... 采用水热法合成了{[Cu(phen)(H2O)(o-tpha)].H2O}n(1),[Cu2Cl4(phen)2](2),[Cu4Cl4.(bipy)2](3)和[Cu2Cl2(phen)]n(4)(bipy=2,2′-bipyridyl,phen=1,10-phenanthroline,o-H2tpha=o-phthalicacid)4个铜配合物.X射线单晶衍射结果表明,配合物1和4是具有一维无限结构的聚合物,配合物2是双核Cu(Ⅱ)配合物并由氢键连成超分子,配合物3是四核Cu(Ⅰ)簇合物.常温下测定了4个配合物的表面光电压光谱(SPS)、场诱导表面光电压光谱(FISPS)、IR和UV-Vis-NIR光谱.SPS的测试结果显示,4个化合物均在300~800nm范围内存在光伏响应带,但是它们呈现了不同的特性.配合物1~3的表面光电压光谱呈现出正的表面光伏响应(SPV),配合物4的SPS呈现出负的表面光伏响应.4个配合物的表面光伏响应带的位置、数量以及强度均有明显不同. 展开更多
关键词 Cu(Ⅱ)/Cu(Ⅰ) 晶体结构 表面光电压 诱导表面光电压 电子跃迁
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运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究
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作者 刘向阳 张振龙 《烟台师范学院学报(自然科学版)》 2003年第1期64-67,80,共5页
对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半... 对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质. 展开更多
关键词 半导体材料 表面光电压技术 表面光电压 诱导表面光电压 表面 能带隙
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四甲基-四乙基钯卟啉的表面光伏特性研究 被引量:13
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作者 谢腾峰 王德军 +2 位作者 王瑛 李铁津 汪进 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期937-940,共4页
合成了1,3,5,7-四甲基-2,4,6,8-四乙基卟啉(TMTEP)及其钯络合物(PdTMTEP),并利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)技术对它们的表面光伏特性进行了研究.TMTEP有较强... 合成了1,3,5,7-四甲基-2,4,6,8-四乙基卟啉(TMTEP)及其钯络合物(PdTMTEP),并利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)技术对它们的表面光伏特性进行了研究.TMTEP有较强的荧光发射,而PdTMTEP以磷光辐射为主,其光伏响应强度比TMTEP的强得多;在外电场诱导下,PdTMTEP的Soret带与Q带的光伏响应强度随外加正电场光伏响应强度的增加而增强,随外加负电场光伏响应强度的增加而减弱,并且在680,750nm处出现两个新的光伏响应带。 展开更多
关键词 四甲基-四乙基钯卟啉 表面光电压 诱导表面光电压 有机半导体 钯配合物 表面光伏特性
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退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
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作者 杨峰 蔡芳共 +2 位作者 柯川 赵勇 程翠华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2581-2585,共5页
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化... 采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化前由于自建场较弱,束缚激子态能在正负电场作用下发生不对称偏转;晶化后,晶体结构从非晶态变为晶态,自建场增强,束缚激子态对正电场敏感并表现出明显的光伏响应,而在负电场作用下束缚激子态没有任何光伏响应. 展开更多
关键词 表面光 诱导表面光电压 TiO2纳米管/线复合阵列 束缚激子
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ZnO/Cu2O异质结中深能级表面光伏特性 被引量:2
7
作者 王蓉 史占花 +5 位作者 蔡芳共 杨峰 贾永芳 黎颖 程翠华 赵勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期768-771,共4页
采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS... 采用恒电压沉积法在导电玻璃(FTO)上制备了具有三棱柱金字塔状的ZnO/Cu2O异质结薄膜.利用场发射扫描电镜(FESEM)与X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微观形貌和晶体结构进行了表征.利用表面光电压谱(SPS)、场诱导表面光电压谱(FISPS)和相位谱(PS)研究了单一Cu2O与ZnO/Cu2O异质结薄膜的表面光伏性质.结果表明,与单一Cu2O薄膜相比,ZnO/Cu2O异质结薄膜的光伏响应范围拓展到了600~800nm.根据SPS,FISPS和PS的作用原理,拓展部分的光伏响应归因于ZnO/Cu2O异质结中Cu2O层的深能级跃迁,该跃迁在ZnO-Cu2O界面电场(方向由ZnO指向Cu2O)的作用下得到加强,同时深能级跃迁产生的电子-空穴对在ZnO-Cu2O界面电场的作用下得到了有效分离和传输. 展开更多
关键词 ZnO/Cu2O异质结 表面光电压 诱导表面光电压 界面电
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Cu_(2-x)S纳米管的制备及其表面光电性质
8
作者 廖鑫 杨峰 +1 位作者 蒲明华 赵勇 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期127-131,共5页
为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光... 为了研究CuS纳米材料在光电领域中的应用,采用水热法合成Cu2-xS纳米管,用X射线衍射仪、扫描电镜表征产物的结构和形貌.在25℃下测试了Cu2-xS纳米管的光吸收性能,利用紫外可见吸收光谱、表面光电压谱和场诱导表面光电压谱,研究其表面光电性质及光伏响应随电场变化的规律.结果表明:合成的Cu2-xS纳米管外径为325-675 nm,管壁厚为70-125 nm,长度为10-20μm;在300-800 nm紫外可见光谱范围内,存在两个吸收区域,场诱导表面光电压谱表明所制备的样品为n-型半导体. 展开更多
关键词 Cu2-xS纳米管 水热法 诱导表面光电压
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ZnO纳米粒子自建场的形成及对其光电特性的影响 被引量:2
9
作者 林艳红 王德军 +2 位作者 肇启东 李子亨 魏霄 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期942-944,F011,共4页
The effect of built-in field on the surface photovoltage(SPV) response of ZnO nanoparticles was investigated by means of surface photovoltage spectroscopy(SPS). From the results of in situ SPS in atmosphere and in vac... The effect of built-in field on the surface photovoltage(SPV) response of ZnO nanoparticles was investigated by means of surface photovoltage spectroscopy(SPS). From the results of in situ SPS in atmosphere and in vacuum, we suggest that the built-in field should be a main condition for producing SPV response. By comparison of SPS with PL in vacuum as well as in atmosphere, we deduce that by changing the ambience of ZnO, its functional properties can be modulated. 展开更多
关键词 ZNO纳米粒子 表面光电压(SPS) 光致发光(PL) 自建
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ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响 被引量:15
10
作者 林艳红 王德军 +2 位作者 肇启东 杨敏 张清林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2077-2079,共3页
The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties o... The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles were investigated by means of FISPS technique and the bands in FISPS were identified. The results show that the surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles make a great difference for the structures or sizes due to the quantum confinement effect. The photovoltaic response intensity of ZnO nanorods is two-orders of magnitude stronger than that of quantum dot particles. And it is found that the ZnO quantum dot particles exhibit significant quantum confinement properties of photogenerated charges. The photovoltaic response bands of ZnO nanorods are related to band-band transition and bound exciton transition, respectively. 展开更多
关键词 ZNO 纳米粒子 结构 光电量子限域 激子态 诱导表面光电压 半导体材料 氧化锌
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金离子掺杂对二氧化钛光催化性能的影响 被引量:48
11
作者 李芳柏 李湘中 +1 位作者 李新军 万洪富 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第7期1072-1077,共6页
利用高压钠灯作光源,在Au3+-TiO2悬浮溶液中,通过紫外-可见吸光度与TOC测定证实亚甲基蓝能被快速脱色降解.金离子掺杂可大大提高TiO2的光催化活性,金离子的最佳掺杂摩尔分数为0.5%.通过表征催化剂的晶型,化学组成,荧光光谱,紫外-可见吸... 利用高压钠灯作光源,在Au3+-TiO2悬浮溶液中,通过紫外-可见吸光度与TOC测定证实亚甲基蓝能被快速脱色降解.金离子掺杂可大大提高TiO2的光催化活性,金离子的最佳掺杂摩尔分数为0.5%.通过表征催化剂的晶型,化学组成,荧光光谱,紫外-可见吸收光谱,电场诱导表面光电压谱,揭示金离子改性的机理.紫外-可见吸收光谱证实金离子掺杂可增强催化剂在可见光区域的吸收能力,由于产生金杂质能级,金离子改性TiO2能被可见光激发.适量的金杂质能降低催化剂的荧光发射强度与电场诱导表面光电压谱强度.根据不同金离子掺杂摩尔分数,荧光发射强度与电场诱导表面光电压谱强度从弱到强的排序与光催化活性从强到弱的排序是一致的. 展开更多
关键词 金离子 杂质能级 二氧化钛 亚甲基兰 可见光 诱导表面光电压 掺杂 有机污染物 光催化降解 光催化性能
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取代基对偶氮类颜料光伏特性的影响 被引量:2
12
作者 谢腾峰 王德军 +4 位作者 朱连杰 李铁津 费浩生 周雪琴 汪茫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1951-1953,共3页
The surface photovoltaic properties of four azo pigments(A, B, C, D) were studied by surface photovoltage spectra (SPS) and field induced surface photovoltage spectra (FISPS). The SPV responses of samples A and D were... The surface photovoltaic properties of four azo pigments(A, B, C, D) were studied by surface photovoltage spectra (SPS) and field induced surface photovoltage spectra (FISPS). The SPV responses of samples A and D were all enhanced when a negative electric field was applied and were all weaken when a positive voltage was applied. It shows that samples A and D indicate n type characteristics. On the contrary, samples B and C indicate p type characteristics. Combining with phase technique and molecular structure of azo pigments, the effect of group on Fermi energy level and conduction type of azo pigments was discussed. 展开更多
关键词 表面光电压 偶氮颜料 取代反应 SPS fisps
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二联体卟啉的光致电荷转移行为 被引量:1
13
作者 谢腾峰 王德军 +4 位作者 赵志新 徐金杰 朱连杰 刘国发 李铁津 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1376-1378,共3页
The photovoltaic properties of dimeric porphyrin have been studied by means of surface photovoltage spectrum(SPS) and field induced surface photovoltage spectrum(FISPS). The results show that a negative SPV response b... The photovoltaic properties of dimeric porphyrin have been studied by means of surface photovoltage spectrum(SPS) and field induced surface photovoltage spectrum(FISPS). The results show that a negative SPV response band(P) appears in the long wave region which takes on n type character and the π π * transition band takes on p type character. P band disappears under high vacuum and appears under O 2 atmosphere. The photo charge transfer process generated between π π * transition band of dimeric porphyrin and P band, which has been attributed to the photo adsorption and photo desorption of O 2 on the surface of dimeric porphyrin. 展开更多
关键词 表面光电压 光致电荷转移 二联体卟啉 诱导表面光电压 氧分子 表面吸附 光伏响应
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ZnFe_2O_4/TiO_2复合材料的制备及光电性能分析 被引量:2
14
作者 万瑞琴 张伟风 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2012年第2期107-109,共3页
采用溶胶-凝胶法制备了ZnFe2O4、TiO2和不同物质的量比的ZnFe2O4/TiO2粉末样品,研究了样品的XRD图、SEM图、UV-vis图、表面光电压谱(SPS)和外场诱导下的光电压图谱(EFISPS)。结果表明,该复合物在紫外-可见光区有一定的表面光电压响应,其... 采用溶胶-凝胶法制备了ZnFe2O4、TiO2和不同物质的量比的ZnFe2O4/TiO2粉末样品,研究了样品的XRD图、SEM图、UV-vis图、表面光电压谱(SPS)和外场诱导下的光电压图谱(EFISPS)。结果表明,该复合物在紫外-可见光区有一定的表面光电压响应,其中n(ZnFe2O4)/n(TiO2)=1∶4时复合物的光电压性能最佳,外场诱导下的光电压强度随着正向偏压的增加而增大,但是与单一的ZnFe2O4光电压性能对比,此复合物的可见光响应范围和光电压响应强度没有明显优势,这就说明ZnFe2O4和TiO2复合之后没有增强其电荷的分离效率,同时也验证了不同材料之间的能级匹配是有选择性的。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ZNFE2O4 TiO2粉末 表面光电压 诱导表面光电压
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一种新型多孔二氧化钛(P-TiO_2)的光伏特性
15
作者 李洪彬 魏霄 +2 位作者 靳蔷薇 王开学 陈接胜 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1039-1042,共4页
通过表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究一种新型的多孔二氧化钛(P-TiO2)材料.结果表明,特殊的多孔结构使得该材料具有丰富的表面态,使P-TiO2的光伏响应区间可扩展至可见光区,并产生了带-带跃迁和表面态跃迁两个强度相... 通过表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究一种新型的多孔二氧化钛(P-TiO2)材料.结果表明,特殊的多孔结构使得该材料具有丰富的表面态,使P-TiO2的光伏响应区间可扩展至可见光区,并产生了带-带跃迁和表面态跃迁两个强度相当的响应带;表现出表面态对光生电荷的定域效应,使得带-带跃迁和表面态跃迁在外电场作用下产生明显不同. 展开更多
关键词 二氧化钛 表面光 表面光电压(SPS) 诱导表面光电压(fisps)
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γ-Bi_2Sn_2O_7的水热合成及其可见光区光电响应研究
16
作者 焦岳超 刘献省 +4 位作者 瞿博阳 张鹏 闫李 朱永胜 付凯 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期1875-1878,共4页
本文采用水热法制备了γ-Bi_2Sn_2O_7并研究了其在可见光区的光电响应。Bi_2Sn_2O_7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征。研究结果表明,合成的Bi_2Sn_2O_7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67... 本文采用水热法制备了γ-Bi_2Sn_2O_7并研究了其在可见光区的光电响应。Bi_2Sn_2O_7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征。研究结果表明,合成的Bi_2Sn_2O_7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67 e V,比α-Bi_2O_3(2.85 e V)的光学带隙小。Bi_2Sn_2O_7的光电响应相对于α-Bi_2O_3在可见光区展现出一定的优势,同时对外加电压有很强的响应。 展开更多
关键词 Bi2Sn2O7 光电响应 可见光吸收 表面光电压 诱导
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铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响
17
作者 赵杰 梁关东 +3 位作者 李明豫 翟瑞祥 王文刚 李葵英 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2018年第3期252-258,共7页
利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主... 利用水相合成法制备Cu:Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu:Zn Se量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜Zn Se量子点高一倍。Cu:Zn Se量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征。研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致Zn Se量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高。实验证实,由于Cu2+离子的引入,Zn Se量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面。 展开更多
关键词 ZnSe纳米晶 CU掺杂 表面光电压 诱导表面光电压
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