化学沉积法制备CdS纳米薄膜及成膜机理

分别以Cd(NO3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜.考察了Cd2+浓度、沉积温度、沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响.紫外-可见吸收谱和原子力显微镜结果表明,改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边,得到均一致密的CdS纳米薄膜.探讨了膜形成机理,给出了成核过程模型,进一步修正了传统成膜机制.认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键.晶核的形成是电学、热学、力学和化学等因素共同作用的结果.