束流均方根发射度和边缘发射度

本文从n维相空间超椭球界面方程的一般形式出发,导出了联系均方根发射度和边缘发射度等参量之间的关系式,并据此就多种情况作了实例计算。

强流柱对称相对论电子束的势能与发射度

推导了柱对称相对论电子束在漂移管内的空间电荷势及相互作用势能,分析了势能在束流传输过程中的变化规律,并与束流均方根发射度的变化方程比较。指出一部分势能随束流传输过程中包络振荡而呈现出可逆的变化;而另一部分势能则在束流传输系统及束流本身非线性力的作用下,随着电荷密度分布变化而转为电荷横向热运动能量,从而导致束流归一化发射度的增长,这种转化是一个不可逆的过程。

强流轴对称相对论电子束的势能与发射度

推导了轴对称相对论电子束在漂移管内的空间电荷势及相互作用势能，分析了势能在束流传输过程中的变化规律，并与束流均方根发射度的变化方程比较，指出一部分势能随束流传输过程中包络振荡呈现出可逆的变化；另一部分势能在束流传输系统及束流本身非线性力的作用下，随着电荷密度分布变化转为电荷横向热运动能量，从而导致束流归一化发射度增长，这种转化是一个不可逆的过程。

切伦科夫辐射“双成像法”测量电子束发射度

利用切伦科夫辐射 ,OTR或荧光靶等光学诊断方法进行发射度测量 ,国内外绝大部分实验是用CCD相机观测电子束打靶产生的光斑 ,变化四极透镜的磁场梯度 ,应用“三梯度法”计算出发射度 .文中提出了一种新的“双成像法”测量方法 ,使切伦科夫辐射光通过一长焦距的消色差薄透镜 ,分别在焦平面和像平面获取图像 .通过图像处理 ,前者可分析出电子束散角分布 ,后者可分析出电子束径向分布 ,从而直接得到均方根发射度 .该方法对束流相空间和电荷密度分布无需假设 ,无需借助“三梯度法” ,较其他常规测量方法具有实验装置更简便、测量精度更高和适用性更广等优点 .文中给出了该测量方法对北京大学DC SC光阴极注入器的发射度测量进行计算机模拟实验的结果和分析 .

四维相空间和束横向分布

用相椭圆解析几何法得到束横向四维相椭球方程的普遍形式；推导出三类分布（KV、WB和GS）下的各种二阶矩量及束的均方根发射度εrms与边发射度ε（或εeut) 之间的关系。辨析了一些输运编码中的均方根发射度定义， 指出轴对称情况下用极坐标r简单代替直角坐标x或y得到的均方根发射度（ε^*）公式不同于惯用公式，惯用均方根发射度εrms是ε^*的1．62倍。