NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。

数据记录器中NAND Flash的坏块管理方法

NAND Flash作为数据记录器中的数据存储芯片,其在应用时容易受到坏块问题的影响。大量的应用表明坏块能够降低存储芯片的稳定性,造成存储数据的错误,因此为了保证存储数据正确,对NAND Flash芯片中坏块的管理具有重要意义。介绍了NAND Flash的物理结构,归纳了坏块跳过法和动态坏块管理法,为NAND Flash的坏块管理提供了依据。

L-DSP片上Flash控制器设计与实现

根据L-DSP芯片系统架构,针对所选用的片上Flash存储器,设计片上Flash控制器模块,实现了总线与片上Flash的正常通信,并能够根据系统运行频率调整到最快读取速率。控制器还拥有连续指令预取功能,大幅提高了连续取指程序的运行效率,以及Flash初始坏块替换修复模块,提高芯片出厂良率。仿真结果表明:在额定150 MHz频率下,运行效率提高了17.611%;控制器模块在0.18μm CMOS工艺下,面积为0.13 mm^2,功耗为10.17 mW。利用FPGA对L-DSP全芯片进行验证,确保控制器功能正确。