硫脲对块体纳米晶工业纯铁在盐酸溶液中的缓蚀行为

采用电化学阻抗谱(EIS)研究了硫脲对室温下1 mol·L-1盐酸溶液中粗晶和纳米晶工业纯铁的腐蚀行为的影响.从EIS的拟合结果得知,在1 mol·L-1盐酸溶液中,块体纳米晶工业纯铁比粗晶工业纯铁腐蚀倾向小.基于纳米晶和粗晶工业纯铁在添加有硫脲的1 mol·L-1盐酸溶液中阻抗谱随浸泡时间的变化关系,观察到以下现象,当浸泡时间短至5 min时,对应不同浓度(50、100、150、500 mg·L-1)的缓蚀剂添加量,在粗晶工业纯铁的阻抗复平面图上出现-感抗弧,而在纳米晶工业纯铁的阻抗复平面图是-圆心下偏的容抗弧,随着浸泡时间的延长,两种样品的容抗弧半径增大,在150mg·L-1的浓度时,电荷传递电阻(Rct)出现极值,这表明硫脲是一种吸附型缓蚀剂.抗盐酸腐蚀性能的提高和没有感抗弧的出现,归因于体纳米化的结果,这与体纳米化的制备技术密切相关.

块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为

借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量,研究块体纳米晶工业纯铁(BNII)和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位E_(corr)正向移动43 mV,自腐蚀电流I_(corr)由68.37μA·cm^(-2)减小为29.55μA·cm^(-2);电荷转移电阻Rt由427.0Ω·cm^2增大到890.1Ω·cm^(-2).两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀孔小而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.

在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响

研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.

丙烯基硫脲对纳米晶纯铁腐蚀行为影响研究

在室温添加丙烯基硫脲(ATU)的稀盐酸溶液中,对块体纳米晶工业纯铁(BNⅡ)和普通工业纯铁(CPⅡ)的电化学腐蚀行为进行了对比研究.结果表明:在空白室温1mol.L-1HCl中,BNⅡ的抗腐蚀能力比CPⅡ的强.当添加ATU,浸泡5min后,两种样品的EIS(电化学阻抗谱)均没有出现感抗弧.随着时间的延长,对于BNⅡ,EIS谱图上出现一Warburg阻抗.在浓度为100mg.L-1,进行动电位极化测试时,两种样品均出现阳极脱附现象,脱附电位Edes有明显差异.与CPⅡ相比,ATU对BNⅡ的缓蚀作用非常有限,甚至有促进其腐蚀的趋势.

新型纳米晶体材料——板材

本文阐述了块体纳米晶工业纯铁板材的制备技术、相关性能。

稀硫酸中丙烯基硫脲对纳米工业纯铁腐蚀作用

在室温0.1 mol/L H_2SO_4+0.25 mol/L Na_2SO_4溶液中,研究了添加不同浓度丙烯基硫脲(ATU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)(通过严重塑性变形获得)和普通工业纯铁(CPII)电化学腐蚀行为的影响。当浸泡5 min后,CPII的Nyquist谱图上出现感抗弧,而BNII的Nyquist谱图为单阻抗谱。随着时间延长至2h,BNII的Nyquist谱图上出现两个时间常数;CPII的阻抗复平面上出现一圆心下偏的单阻抗谱。