坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法———熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法。５ ～６Ｎ 高纯Ａｇ 、Ｇａ 、Ｓｅ 单质按ＡｇＧａＳｅ２ 化学配比富０ ．５ ％ Ｓｅ 配料，１１００ ℃下合成并在熔点附近进行温度振荡，获得了高纯单相致密的ＡｇＧａＳｅ２ 多晶材料。用合成的多晶为原料，采用坩埚旋转下降法生长出２２ ×８０ｍｍ 的ＡｇＧａＳｅ２ 单晶锭。晶体外观完整，在１０ ．６μｍ 附近红外透过率达６２ ．４ ％ ，吸收系数低于０ ．０１ｃｍ － １ ，对１０ ．６μｍ ＣＯ２ 激光实现倍频，能量转换效率达１２ ％ 。

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料，生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析，观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．

坩埚加速旋转-垂直下降法晶体生长设备的研制

根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。