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共掺调剂离子Na+/Gd^3+调控Eu∶CaF2晶体的发光特性研究 被引量:2
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作者 方紫璇 于浩 +4 位作者 钱小波 姜大朋 赵洪阳 熊伦 苏良碧 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1548-1554,1561,共8页
采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu,6.4at%Na∶CaF2,0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相,共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料,荧光光谱表明共掺调剂离子后... 采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu,6.4at%Na∶CaF2,0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相,共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料,荧光光谱表明共掺调剂离子后可明显增加Eu^2+在424 nm处的发光强度,而Eu^3+的特征发射5D 0→7F J(J=1,2,3,4)除了表现出半峰宽变大外,峰位和强度均无明显变化。0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2表现出Eu^3+的5D 2→7F 3和5D 0→7F 0特征发射峰,主要可能归因于共掺Gd^3+后打破了非反演对称结构,R值(电、磁偶极跃迁比值)明显降低,提高了晶体格位结构的对称性。共掺Na+后在CIE色域坐标图上显示坐标由(0.3037,0.1425)可变为(0.2043,0.0626),对应从紫色到蓝色的色域调控。 展开更多
关键词 Eu∶CaF2晶体 光谱调控 发光 Na+/Gd^3+共掺 多孔坩埚温度梯度法
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NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈 被引量:1
2
作者 陆锋 《微电子技术》 2002年第4期29-33,共5页
本文较为详细地分析了EatonNV10 - 80大束流离子注入机离子源电路工作原理 ,包括ARC电压、灯丝电流、气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理 ,同时 ,又针对常见离子源故障解决作了剖析。由于EatonNV10 - 80大束流离子注入机... 本文较为详细地分析了EatonNV10 - 80大束流离子注入机离子源电路工作原理 ,包括ARC电压、灯丝电流、气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理 ,同时 ,又针对常见离子源故障解决作了剖析。由于EatonNV10 - 80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛 ,其它型号的离子注入机也可借鉴 ,本文有较高的实际指导意义。 展开更多
关键词 NV10-80大束流注入机 离子源 电路原理 维修 ARC电源 灯丝电流 气源压力 坩埚温度
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