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共掺调剂离子Na+/Gd^3+调控Eu∶CaF2晶体的发光特性研究
被引量:
2
1
作者
方紫璇
于浩
+4 位作者
钱小波
姜大朋
赵洪阳
熊伦
苏良碧
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1548-1554,1561,共8页
采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu,6.4at%Na∶CaF2,0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相,共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料,荧光光谱表明共掺调剂离子后...
采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu,6.4at%Na∶CaF2,0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相,共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料,荧光光谱表明共掺调剂离子后可明显增加Eu^2+在424 nm处的发光强度,而Eu^3+的特征发射5D 0→7F J(J=1,2,3,4)除了表现出半峰宽变大外,峰位和强度均无明显变化。0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2表现出Eu^3+的5D 2→7F 3和5D 0→7F 0特征发射峰,主要可能归因于共掺Gd^3+后打破了非反演对称结构,R值(电、磁偶极跃迁比值)明显降低,提高了晶体格位结构的对称性。共掺Na+后在CIE色域坐标图上显示坐标由(0.3037,0.1425)可变为(0.2043,0.0626),对应从紫色到蓝色的色域调控。
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关键词
Eu∶CaF2晶体
光谱调控
发光
Na+/Gd^3+共掺
多孔
坩埚温度
梯度法
下载PDF
职称材料
NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈
被引量:
1
2
作者
陆锋
《微电子技术》
2002年第4期29-33,共5页
本文较为详细地分析了EatonNV10 - 80大束流离子注入机离子源电路工作原理 ,包括ARC电压、灯丝电流、气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理 ,同时 ,又针对常见离子源故障解决作了剖析。由于EatonNV10 - 80大束流离子注入机...
本文较为详细地分析了EatonNV10 - 80大束流离子注入机离子源电路工作原理 ,包括ARC电压、灯丝电流、气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理 ,同时 ,又针对常见离子源故障解决作了剖析。由于EatonNV10 - 80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛 ,其它型号的离子注入机也可借鉴 ,本文有较高的实际指导意义。
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关键词
NV10-80大束流注入机
离子源
电路原理
维修
ARC电源
灯丝电流
气源压力
坩埚温度
下载PDF
职称材料
题名
共掺调剂离子Na+/Gd^3+调控Eu∶CaF2晶体的发光特性研究
被引量:
2
1
作者
方紫璇
于浩
钱小波
姜大朋
赵洪阳
熊伦
苏良碧
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
武汉工程大学
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第8期1548-1554,1561,共8页
基金
国家自然科学基金(61925508,61635012)
湖北省教育厅科学研究重点项目(D20151506)。
文摘
采用多孔坩埚温度梯度法生长了0.6at%Eu∶CaF2晶体和共掺0.6at%Eu,6.4at%Na∶CaF2,0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2晶体。XRD测试表明晶体仍均表现为纯CaF2的立方相,共掺后吸收强度降低。以398 nm氙灯激发晶体材料,荧光光谱表明共掺调剂离子后可明显增加Eu^2+在424 nm处的发光强度,而Eu^3+的特征发射5D 0→7F J(J=1,2,3,4)除了表现出半峰宽变大外,峰位和强度均无明显变化。0.6at%Eu,6.4at%Gd∶CaF2表现出Eu^3+的5D 2→7F 3和5D 0→7F 0特征发射峰,主要可能归因于共掺Gd^3+后打破了非反演对称结构,R值(电、磁偶极跃迁比值)明显降低,提高了晶体格位结构的对称性。共掺Na+后在CIE色域坐标图上显示坐标由(0.3037,0.1425)可变为(0.2043,0.0626),对应从紫色到蓝色的色域调控。
关键词
Eu∶CaF2晶体
光谱调控
发光
Na+/Gd^3+共掺
多孔
坩埚温度
梯度法
Keywords
Eu∶CaF2 crystal
spectroscopy tailoring
luminescence
co-doping Na+/Gd^3+
porous crucible temperature gradient method
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈
被引量:
1
2
作者
陆锋
机构
无锡微电子科研中心
出处
《微电子技术》
2002年第4期29-33,共5页
文摘
本文较为详细地分析了EatonNV10 - 80大束流离子注入机离子源电路工作原理 ,包括ARC电压、灯丝电流、气源压力调节及固体源坩埚温度控制的电路工作原理 ,同时 ,又针对常见离子源故障解决作了剖析。由于EatonNV10 - 80大束流离子注入机国内半导体厂家使用较为广泛 ,其它型号的离子注入机也可借鉴 ,本文有较高的实际指导意义。
关键词
NV10-80大束流注入机
离子源
电路原理
维修
ARC电源
灯丝电流
气源压力
坩埚温度
Keywords
ion source
ARC voltage
filament current
gas pressure
vaporizer temperature
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
共掺调剂离子Na+/Gd^3+调控Eu∶CaF2晶体的发光特性研究
方紫璇
于浩
钱小波
姜大朋
赵洪阳
熊伦
苏良碧
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
2
下载PDF
职称材料
2
NV10-80大束流注入机离子源电路原理分析及维修经验浅谈
陆锋
《微电子技术》
2002
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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