沉积条件对SiO_2光子晶体表面形貌的影响

自组装制备是一种常用的三维光子晶体制备方法,在制备光子晶体过程中影响薄膜质量的因素较多。本研究对原始的双基片垂直沉积法进行了一定的改进,控制光照强弱、蒸发速度快慢等条件,沉积了不同的SiO2光子晶体薄膜样品。通过与单基片垂直沉积法得到的薄膜样品进行比较,得到了双基片垂直沉积法沉积光子晶体薄膜样品的最优实验条件。

膜厚可控SiO_2光子晶体的制备与研究

在相同SiO2悬浮液浓度下,采用改进的双基片垂直沉积法成功制备了不同膜厚的SiO2光子晶体薄膜。研究发现,通过调节两基片间夹层厚度可以很好地控制样品薄膜厚度,不同厚度SiO2光子晶体的表面形貌也有一定的变化。

不同膜厚对SiO2光子晶体形貌及光学性能的影响

利用改良的Stber法制成了粒径均一的SiO2胶体颗粒,胶体微球颗粒平均粒径为200nm。保持SiO2悬浮液体积分数相同,对双基片自组装垂直沉积进行改造,改变夹层厚度,沉积得到厚度不同的SiO2光子晶体薄膜。利用扫描电子显微镜观察了膜厚不同的SiO2光子晶体薄膜样品的表面以及断面微观形貌,测试了样品的光反射性能,此外还讨论了光子晶体薄膜厚度对样品表面的形貌以及样品光反射性能带来的影响。