1
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管 |
刘英坤
杨增敏
郎秀兰
王占利
何玉樟
吕仲志
李勇
周晓黎
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
3
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3
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究 |
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
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《电气技术》
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2020 |
0 |
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4
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530~650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 |
刘洪军
傅义珠
李相光
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
3
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5
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高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计 |
李中江
夏俊峰
刘美溶
薛发龙
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
0 |
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6
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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响 |
高嵩
石广元
张颖
赵野
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《辽宁大学学报(自然科学版)》
CAS
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2001 |
2
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7
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低压条形栅功率场效应晶体管的研制 |
王立新
廖太仪
陆江
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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8
|
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 |
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
2
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9
|
功率VDMOSFET单粒子效应研究 |
段雪
郎秀兰
刘英坤
董四华
崔占东
刘忠山
孙艳玲
胡顺欣
冯彬
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《微纳电子技术》
CAS
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2008 |
4
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10
|
垂直双扩散结构MOS功率集成电路的设计 |
刘三清
曹广军
应建华
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《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
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1995 |
1
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11
|
VDMOS场效应管及其特点分析 |
张品福
张克善
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《半导体杂志》
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1997 |
7
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12
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VMOS功率场效应晶体管的制造工艺 |
姚勤泽
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《科技信息》
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2010 |
0 |
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13
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1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究 |
李尧
牛瑞霞
王爱玲
王奋强
蓝俊
张栩莹
张鹏杰
刘良朋
吴回州
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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14
|
功率VDMOS器件的研究与发展 |
杨法明
杨发顺
张锗源
李绪诚
张荣芬
邓朝勇
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2011 |
9
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15
|
考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型 |
鲍嘉明
孙伟锋
时龙兴
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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16
|
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 |
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
0 |
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17
|
6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析 |
张娟
柴常春
杨银堂
徐俊平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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18
|
功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究 |
黄学龙
贾云鹏
李劲
苏宏源
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《电力电子技术》
CSCD
北大核心
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2019 |
1
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19
|
硅高压VDMOS漂移区静态物理模型的一种改进 |
鲍嘉明
孙伟锋
赵野
陆生礼
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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20
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一种200V/100A VDMOS器件开发 |
焦世龙
翁长羽
晋虎
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《电子与封装》
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2010 |
1
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