1
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
《电气技术》
2020
0
2
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
3
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024
0
4
530~650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管
刘洪军
傅义珠
李相光
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
5
新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
《微纳电子技术》
北大核心
2019
3
6
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究
田波
亢宝位
吴郁
韩峰
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2007
1
7
沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究
雷海波
王飞
肖胜安
《集成电路应用》
2013
0
8
GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响
梁海莲
董树荣
顾晓峰
李明亮
韩雁
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
9
一种200V/100A VDMOS器件开发
焦世龙
翁长羽
晋虎
《电子与封装》
2010
1
10
功率集成器件及其兼容技术的发展
乔明
袁柳
《电子与封装》
2021
4
11
基于自动微分技术的器件模型参数提取算法
程彬杰
邵志标
王莉萍
于忠
唐天同
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
12
总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响
蔡俊
傅义珠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
13
一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块
苑小林
林川
吴鹏
王建浩
王云燕
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
14
β-Ga2O3欧姆接触的研究进展
杨凯
刁华彬
赵超
罗军
《微纳电子技术》
北大核心
2019
1
15
碳化硅基MOSFETs器件研究进展
李金平
王琨
《西安邮电大学学报》
2016
2
16
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现
韩成功
郭清
韩雁
张斌
张世峰
胡佳贤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
17
功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究
黄学龙
贾云鹏
李劲
苏宏源
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2019
1
18
一种新型VDMOS器件结构的设计与实现
董子旭
王万礼
赵晓丽
张馨予
刘晓芳
《太赫兹科学与电子信息学报》
2022
0
19
中国功率器件市场MOSFET成亮点
《世界电子元器件》
2008
0
20
SiC芯片微型化及发展趋势
张园览
张清纯
《机车电传动》
北大核心
2023
0