基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器。由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声。这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用。本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器。该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器。本文使用0.18μmCMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器。仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm。