对VFO封装与常规WB封装的频率特性仿真比对

现代电子产品尤其是高性能存储器和通信设备对高效信号传递和低能耗需求迫切,要求封装技术在高频高速条件下展现卓越性能。垂直引线扇出(VFO)封装技术采用垂直金线连接芯片与底板,构建紧密的垂直互联体系,显著缩短信号传输路径,减少信号插入损耗和反射损耗,提高信号传输速度与质量,适应高频应用。通过仿真对比,研究揭示了VFO封装在高频操作中的性能优势。研究为筛选合适封装技术提供了可靠数据支撑,并为提升传统线接合(WB)封装在高频场合下的表现奠定了理论基础。