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垂直碳纳米管阵列的生长控制研究进展 被引量:2
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作者 梁尤轩 赵斌 +1 位作者 姜川 杨俊和 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1491-1497,共7页
垂直碳纳米管(VACNT)阵列由于具有良好的排列、优异的导电导热能力、高比表面积、高纯度等优点而得到广泛应用。本文概述了用于碳纳米管阵列生长的热化学气相沉积(CVD)制备方法的最新进展,重点阐述了CVD法生长碳纳米管阵列的动力学与生... 垂直碳纳米管(VACNT)阵列由于具有良好的排列、优异的导电导热能力、高比表面积、高纯度等优点而得到广泛应用。本文概述了用于碳纳米管阵列生长的热化学气相沉积(CVD)制备方法的最新进展,重点阐述了CVD法生长碳纳米管阵列的动力学与生长终止机理,指出CVD过程中的催化剂形貌演化是引发碳纳米管阵列生长停止的重要原因。介绍了人们通过生长条件控制与催化剂设计等方法调控碳纳米管阵列结构(包括管壁数、管径和密度)方面取得的进展,指出碳纳米管阵列的大批量制备及结构参数的精确调控是未来发展的重点。 展开更多
关键词 垂直碳纳米管阵列 化学气相沉积 动力学 结构调控
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垂直碳纳米管的制备方法及其应用进展 被引量:2
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作者 郭婵 《材料研究与应用》 CAS 2020年第2期151-154,共4页
垂直碳纳米管与本征碳纳米管随机、杂乱无章、弯曲扭折的生长形态不同,其排列整齐,取向一致,可充分利用的表面积更大,具有更优异的导电性能、热学性能等,因此对垂直碳纳米管的探究显得尤为重要.全面介绍了垂直碳纳米管的制备方法,以及... 垂直碳纳米管与本征碳纳米管随机、杂乱无章、弯曲扭折的生长形态不同,其排列整齐,取向一致,可充分利用的表面积更大,具有更优异的导电性能、热学性能等,因此对垂直碳纳米管的探究显得尤为重要.全面介绍了垂直碳纳米管的制备方法,以及各种制备方法的特点.阐述了垂直碳纳米管的生长模式,最后针对垂直碳纳米管的性质特点,总结了其在各种方面的应用及展望. 展开更多
关键词 垂直碳纳米管 方法 机理 应用
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文献挖掘和高通量方法优化碳纳米管垂直阵列生长 被引量:1
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作者 高张丹 吉忠海 +5 位作者 张莉莉 汤代明 邹孟珂 谢蕊鸿 刘少康 刘畅 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期887-897,共11页
具有良好力学性能和高导热性的碳纳米管垂直阵列(VACNT)可用作热管理中的有效热界面材料。为了利用沿碳纳米管轴向的高导热性,需要优化碳纳米管垂直阵列的结晶度和高度。然而,碳纳米管垂直阵列的生长参数空间(如退火时间、催化剂种类、... 具有良好力学性能和高导热性的碳纳米管垂直阵列(VACNT)可用作热管理中的有效热界面材料。为了利用沿碳纳米管轴向的高导热性,需要优化碳纳米管垂直阵列的结晶度和高度。然而,碳纳米管垂直阵列的生长参数空间(如退火时间、催化剂种类、生长温度、载气、碳源等)复杂,结构特征之间相互影响,同时提高碳纳米管垂直阵列的高度和质量仍是一个巨大的挑战。与此同时,缺乏对参数调控方向的指导进一步增加了实验结果的不确定性,并限制了产物结构优化的效率。本研究开发了一种文献挖掘-机器学习-高通量制备策略,有效优化了碳纳米管垂直阵列的高度和质量。为了揭示碳纳米管垂直阵列结构与关键生长参数之间的潜在关系,采用随机森林回归算法对一组已发布的样本数据(864个样本)进行建模,并利用机器学习模型解释包SHAP(SHapley Additive exPlanations)分析获得影响垂直阵列高度和结晶度的主要生长参数。经分析确定,高通量实验旨在调节4个关键参数:生长温度、生长时间、催化剂组分和碳源浓度。结果发现,经筛选的Fe/Gd/Al_(2)O_(3)催化剂能够生长出具有毫米级高度和更高结晶度的碳纳米管垂直阵列。结果表明,文献挖掘、高通量实验和基于数据的机器学习可以有效地处理碳纳米管生长等多参数过程,提高对结构的控制。 展开更多
关键词 碳纳米管垂直阵列 控制制备 文献挖掘 机器学习 高通量
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垂直定向碳纳米管的化学气相沉积法制备及其应用进展 被引量:5
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作者 李克训 马江将 +2 位作者 赵亚丽 周必成 江波 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第21期27-32,共6页
垂直定向碳纳米管独特的结构和性能使其成为碳纳米管领域的研究热点,而可控制备是其重点研究方向之一。概述了近年来垂直定向碳纳米管的常用制备方法(热化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积)及其影响因素,以及垂直定向碳纳米管在热... 垂直定向碳纳米管独特的结构和性能使其成为碳纳米管领域的研究热点,而可控制备是其重点研究方向之一。概述了近年来垂直定向碳纳米管的常用制备方法(热化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积)及其影响因素,以及垂直定向碳纳米管在热界面、光电、场发射和传感器方面的研究进展,重点介绍了一些具有优异性能的研究领域以及存在的问题。 展开更多
关键词 垂直定向碳纳米管 化学气相沉积 传感器 场发射
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纳米金/垂直阵列碳纳米管修饰铜电极的制备及其对曲酸的电催化性能研究 被引量:1
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作者 马建春 张军 +3 位作者 牛晶晶 王晋枝 刘欢 邵佳慧 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1267-1271,共5页
通过磁控溅射法制备了金/垂直阵列碳纳米管纳米复合材料,并利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)方法对复合材料的形貌进行了表征。将此材料用导电银胶粘贴到铜电极表面制备成工作电极对曲酸进行了电催化性能研究,结果表明:在pH 6.0的0.001... 通过磁控溅射法制备了金/垂直阵列碳纳米管纳米复合材料,并利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)方法对复合材料的形貌进行了表征。将此材料用导电银胶粘贴到铜电极表面制备成工作电极对曲酸进行了电催化性能研究,结果表明:在pH 6.0的0.001mol·L^(-1)的乙酸-乙酸钠溶液中,该电极对曲酸具有很好的电催化氧化作用,曲酸浓度在5.0×10-4~7.5×10-3 mol·L^(-1)之间时,与其电催化氧化峰电流值之间呈线性关系。检出限(3S/N)为1.0×10-5 mol·L^(-1)。 展开更多
关键词 纳米金/垂直阵列碳纳米管修饰铜电极 曲酸 电催化氧化
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Mn3O4/垂直排列碳纳米管复合电极材料的制备及其电化学性能 被引量:2
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作者 汪维波 孙干 赵斌 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期6-11,共6页
采用水分辅助化学气相沉积方法制备垂直排列碳纳米管(VACNTs),采用超临界二氧化碳辅助浸渍将锰前驱体负载于VACNTs表面,经不同温度(250350℃)真空退火制备Mn3O4/VACNTs复合电极材料,研究了该复合电极材料的微观结构和电化学性能。结果表... 采用水分辅助化学气相沉积方法制备垂直排列碳纳米管(VACNTs),采用超临界二氧化碳辅助浸渍将锰前驱体负载于VACNTs表面,经不同温度(250350℃)真空退火制备Mn3O4/VACNTs复合电极材料,研究了该复合电极材料的微观结构和电化学性能。结果表明:在复合电极材料中Mn3O4纳米颗粒负载在碳纳米管表面,且当在300℃真空退火后,Mn3O4纳米颗粒呈均匀分布,尺寸在610nm;与纯VACNTs相比,复合电极材料的比电容提高了34倍,瓦尔堡阻抗、等效串联电阻和电极/电解质界面的电荷转移电阻均较小;300℃真空退火后,复合电极材料表现出最佳的电化学性能,其最大比电容为168F·g^-1,且当充放电电流密度从1A·g^-1增加到10A·g^-1时,比电容保持率达56%,等效串联电阻最小(约2.5Ω)。 展开更多
关键词 MN3O4 垂直排列碳纳米管 复合电极材料 超级电容性能
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原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列的影响 被引量:1
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作者 杨超 李莹 +1 位作者 闫璐 曹韫真 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期681-686,共6页
通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明:ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长... 通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明:ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒;氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm时,生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm,管壁层数约为5层,阵列高度约为400?m。增大氧化铁薄膜的厚度,生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加,阵列高度降低。实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs,表明ALD工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs。 展开更多
关键词 原子层沉积 氧化铁 水辅助化学气相沉积 垂直碳纳米管阵列 结构可控 三维样品
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具有交联网络的碳纳米管阵列导热材料 被引量:5
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作者 蔡瑜 秦盟盟 封伟 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期524-531,共8页
垂直碳纳米管阵列(VACNT)中相邻碳纳米管的相互作用较弱,导致其水平热导率较低。通过化学气相沉积法在VACNT内部生长了随机取向的次级碳纳米管,次级碳纳米管在VACNT中形成交联网络,增强了VACNT的水平热导率。理论模拟分析表明,次级碳纳... 垂直碳纳米管阵列(VACNT)中相邻碳纳米管的相互作用较弱,导致其水平热导率较低。通过化学气相沉积法在VACNT内部生长了随机取向的次级碳纳米管,次级碳纳米管在VACNT中形成交联网络,增强了VACNT的水平热导率。理论模拟分析表明,次级碳纳米管能够对集中的热量进行分散传导,从而有效调控碳纳米管阵列沿水平方向的热导率。实际测试结果表明,二次生长时间为30 min的碳纳米管阵列具有较为致密的网络结构,其密度为0.149 g/cm^(3),相比于VACNT的密度(0.118 g/cm^(3))提升了26.3%;其垂直热导率和水平热导率分别高达10.9 W/(m·K)和7.8 W/(m·K),水平热导率比VACNT的水平热导率提升幅度达231.6%。 展开更多
关键词 垂直碳纳米管阵列 网络结构 化学气相沉积法 导热性能 碳纳米管
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不锈钢基底碳纳米管阵列制备及基底弯曲研究
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作者 孙成祥 李阳 陆明月 《机械制造与自动化》 2020年第6期10-12,共3页
通过化学气相沉积法在不锈钢基底上制备定向度良好的垂直定向碳纳米管阵列。研究中发现在超薄柔性金属基底上制备碳纳米管阵列时,基底会随化学气相沉积过程发生弯曲变形。通过对比实验分析导致基底弯曲的原因,确定了变形与沉积的对应关... 通过化学气相沉积法在不锈钢基底上制备定向度良好的垂直定向碳纳米管阵列。研究中发现在超薄柔性金属基底上制备碳纳米管阵列时,基底会随化学气相沉积过程发生弯曲变形。通过对比实验分析导致基底弯曲的原因,确定了变形与沉积的对应关系。采用预弯曲处理的方法克服了金属基底在制备碳管阵列时发生弯曲的问题。 展开更多
关键词 垂直定向碳纳米管阵列 化学气相沉积 超薄不锈钢基底 基底弯曲
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干黏附碳纳米管垂直阵列的转移及其黏附性能评价 被引量:1
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作者 罗敏 李阳 +4 位作者 姚亚刚 张昊 张永毅 李清文 戴振东 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期771-779,共9页
碳纳米管垂直阵列(VACNTs)具有高长径比、优异的力学性能,在仿壁虎干黏附材料领域具有广阔的应用前景.但适合其生长的硅基底本身硬脆以及阵列与生长基底结合力较弱是制约VACNTs在干黏附材料中应用发展的主要问题.本文提出一种简单高效... 碳纳米管垂直阵列(VACNTs)具有高长径比、优异的力学性能,在仿壁虎干黏附材料领域具有广阔的应用前景.但适合其生长的硅基底本身硬脆以及阵列与生长基底结合力较弱是制约VACNTs在干黏附材料中应用发展的主要问题.本文提出一种简单高效的转移方法,将VACNTs转移至柔韧的聚碳酸酯(PC)基底,再进行切向黏附性能测试,并从顶部形貌结构与石墨化程度两方面分析切向黏附强度测试结果.对转移工艺进行优化以后,VACNTs与PC之间形成较强结合力,底端转移和顶端转移后获得2种不同的顶部结构.黏附性能测试结果表明,VACNTs切向黏附强度均随法向预载荷增加而增大,当施加16N/cm2的预载荷时,底端转移VACNTs的切向黏附强度约5 N/cm2,顶端转移VACNTs的切向黏附强度约2.8 N/cm2.该转移方法具有普遍适用性,不受转移阵列面积的限制,转移后的黏附材料整体柔韧性提高,为VACNTs作为仿壁虎干黏附材料的应用创造了有利条件. 展开更多
关键词 碳纳米管垂直阵列 转移 聚碳酸酯 界面结合强度 干黏附材料
原文传递
垂直生长碳纳米管阵列可见光高吸收比标准研制及其特性表征分析 被引量:1
11
作者 康品春 《中国计量》 2020年第2期91-93,共3页
研究采用原子层沉积(ALD)工艺,利用垂直碳纳米管阵列(VACNTs)的稀疏结构和碳纳米管本身具有的中空结构,探索制备具有超黑性质的垂直生长碳纳米管阵列薄膜,研究测试材料在(500~1000)nm绝对吸收比,调节阵列结构,实现高吸收比标准片的研制。
关键词 垂直生长碳纳米管阵列 原子层沉积 高吸收比涂层 超黑材料
原文传递
Effect of ammonia gas etching on growth of vertically aligned carbon nanotubes/nanofibers
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作者 Sang-Gook KIM Sooh-Yung KIM Hyung-Woo LEE 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第A01期130-134,共5页
The etching effect of ammonia (NH3) on the growth of vertically aligned nanotubes/nanofibers (CNTs) was investigated by direct-current plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-PECVD). NH3 gas etches Ni cata... The etching effect of ammonia (NH3) on the growth of vertically aligned nanotubes/nanofibers (CNTs) was investigated by direct-current plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-PECVD). NH3 gas etches Ni catalyst layer to form nanoscale islands while NH3 plasma etches the deposited amorphous carbon. Based on the etching effect of NH3 gas on Ni catalyst, the differences of growing bundles of CNTs and single strand CNTs were discussed; specifically, the amount of optimal NH3 gas etching is different between bundles of CNTs and single strand CNTs. In contrast to the CNT carpet growth, the single strand CNT growth requires shorter etching time (5 min) than large catalytic patterns (10 rain) since nano dots already form catalyst islands for CNT growth. Through removing the plasma pretreatment process, the damage from being exposed at high temperature substrate occurring during the plasma generation time is minimized. High resolution transmission electron microscopy (HTEM) shows fishbone structure of CNTs grown by PECVD. 展开更多
关键词 carbon nanotube ammonia etching nickel catalyst plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
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