垂直结构LED和倒装结构LED的发光特性研究

研究了1.16 mm GaN基蓝光芯片的垂直封装结构LED和倒装封装结构LED在驱动电流达到和超过工作电流350mA的发光特性和变化趋势。随着驱动电流的逐渐增大,与垂直结构LED相比,倒装结构LED光通量的饱和电流值增加350mA,在1 200 mA电流时的光通量高出25.9%,色温的异常电流值增加了400 mA,发光效率平均提高8l m/W。实验结果表明,倒装结构LED具有更高的抗大电流冲击稳定性和光输出性能,可有效提高LED在实际应用中使用寿命。

电流阻挡层结构对垂直发光二极管芯片老化特性之研究

发现ICP damage制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构LED在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI&SEM分析,发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移,迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入低电迁移率金属并检测。结果表明,填入低电迁移率金属后既解决了老化漏电问题,同时不影响芯片的初始光电特性。

LED发光二极管由哪些结构组成？

LED Lamp（led灯）主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成。

板上芯片集成封装的发光二极管结构设计

根据板上芯片(COB)集成封装的结构特点,同时考虑反光杯结构和荧光粉涂敷方式,分析了影响COB封装的发光二极管(LED)发光性能的主要因素。针对反光杯结构的关键要素:反光杯形状、反光杯深度、反光杯角度,优化设计了LED光学结构。通过改变TracePro软件中反光杯的相关参数,模拟了不同LED的光强分布及发光效率,探讨了提高COB封装的白光LED发光效能的途径。最后,在4mA和12mA电流下进行了传统荧光粉涂敷方式及荧光粉远离芯片涂敷方式的对照实验。仿真及实验结果表明:采用圆锥形反光杯,反光杯深度在一定范围内略大,且反光杯角度设为30°时,LED发光性能较为优异。与传统封装方法相比,采用荧光粉远离芯片的封装方法可使发光效率提高5%左右。得到的结果对LED封装制造过程有指导意义。

金属芯印制板结构对发光二极管发热的影响

在发光二极管(LED)的设计中,因为单管LED无法达到照明强度的要求,设计者经常使用多个LED来达到效果。因为散热的原因,LED之间的最佳距离是设计者必须面临的问题。本文认为LED的发热不仅与LED间的距离有关,而且还与它们使用的金属芯印制板(MCPCB)的绝缘层、铜箔层以及焊接层的厚度有关,并导出了它们之间的关系。

垂直结构GaN基LEDs电流分布计算分析

电流分布是影响大功率LEDs器件性能的重要因素,与传统结构GaN基器件比较,垂直结构器件通过采用上下电极分布,明显改善了LEDs器件内部电流分布均匀性。通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LEDs电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LEDs电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LEDs的电流分布均匀性得到了明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,通过晶片键合与激光剥离技术,制备了垂直结构GaN基LEDs,测试结果表明,实验结果和理论计算值相吻合。该结果对GaN基LEDs器件的优化设计具有重要指导意义。

GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管(VS-LEDs)电流分布均匀性的影响,依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次,通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VSLEDs有源层的电流密度分布,发现螺旋状环形结构电极的环间距越小,电流密度分布越均匀。最后,利用VS-LEDs芯片制备技术实现具有螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。实验结果显示,在350 m A电流驱动下,电极环间距为146.25μm的芯片具有最大的功能转换效率,达到26.8%。

6H-SiC衬底上AlGaN基垂直结构紫外LED的制备

利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al_(0.19)Ga_(0.81)N/Al_(0.37)Ga_(0.63)N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值反射率为68%,阻带宽度为10 nm。在获得导电DBR的基础上,进一步在n型6H-SiC衬底上构建了有、无DBR的垂直结构紫外LED。对比两者电致发光光谱,发现DBR结构的引入有效增强了LED紫外发光强度。

自分裂GaN基垂直结构LED研究

为了解决感应耦合等离子体刻蚀和衬底切割对发光二极管芯片造成损伤的问题,提高器件的成品率,提出了一种新的制备氮化镓基垂直结构发光二极管的工艺方法,成功制备出了无需衬底切割的自分裂垂直结构发光二极管.制备过程中使用化学机械抛光来代替感应耦合等离子体刻蚀对n型氮化镓进行减薄,避免了感应耦合等离子体刻蚀对器件侧壁和有源区造成的损伤;通过临时衬底转移技术解决了衬底切割的问题,无需衬底切割即可得到单个发光二极管芯片.与传统结构正装发光二极管相比,300μm×300μm的自分裂垂直结构发光二极管的电学特性得到大幅度改善,电流为20 mA下的正向电压从3.17 V降到2.88 V,降低了9%;饱和电流从240 mA提高到280 mA,提高了17%.研究了电极形状对器件性能的影响,将电极形状由圆盘形改为环形,500μm×500μm的自分裂垂直结构发光二极管的饱和电流从450 mA提高到490 mA,提高了9%,通过优化电极结构有望进一步改善芯片性能.

具有I^2C总线结构的发光二极管驱动集成电路LV5217GP

LV5217GP是三洋公司的又一款应用于手机和电话机的具有I^2C总线结构的发光二极管驱动电路，它也是采用了双CMOS技术的大规模集成电路。LV5217GP内置有三路LED驱动电路，可以同时驱动三个LED发光，并且每一路LED驱动电流能够通过FC总线中的串行数据来调节，从而使彩色的LED能够产生各种亮度效果。并且，每一路LED驱动电流可以独立地在0．31～25．48mA之间改变，

利用二维光子结晶结构提高LED发光效率

日本京都大学和科学技术振兴机构(JST)组成的联合研究小组最近宣布，在发光元件结构中使用二维光子结晶结构可提高发光二极管(LED)的发光效率。与没有光子结晶结构相比，将发光元件内部发出的光线照射到LED发光面法线方向的效率(光导效率)达到了4～5倍。过去，由LED内部发出的光线大多沿发光面方向照射，因为没有出口，就会发热。

InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质。实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。

基于蒙特卡罗模拟方法的光源用LED封装光学结构设计

为满足正在兴起的LED照明光源的设计优化要求 ,必须探索适合LED光学结构设计的有效方法。引进蒙特卡罗 (MonteCarlo)随机模拟方法对常规形式发光二极管 (LED)的光学封装结构进行模拟 ,得出了LED的光强分布 ,并进行实际测量 ,模拟结果与实验所得结果吻合较好 ,证明蒙特卡罗方法是进行LED光源光学结构设计的一种有效工具 ,可以以此作为LED光源的设计优化手段。重点探讨了此方法模拟中的随机数构造、优化 ;LED模型 ;仿真的计算机实现 ,仿真结果的验证 ;结构优化的思路等问题。

MCPCB结构对LED发热的影响

在LED的设计中,因为单管LED无法达到照明强度的要求,设计者经常使用多个LED来达到效果。因为散热的原因,LED之间的最佳距离是设计者必须面临的问题。该文认为LED的发热不仅与LED间的距离有关,而且还与它们使用的金属芯印制板(MCPCB)的绝缘层、铜箔层以及焊接层的厚度有关,并导出了它们之间的关系。

现代摩托车用LED灯的结构原理及维护(1)

LED是Light Emitting Diode的英文缩写，译为发光二极管，是一种具有2个电极的半导体发光器件，流过小量电流就会直接转化为可见光。第一个商用发光二极管产生于1960年，基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，

不同结构样式LED散热器的对比选用方法

针对设计出来的诸多结构样式LED散热器的具体选用问题,提出了一种对比选用方法。以一个LED光源的散热为基准,阐述了对其中3款散热器的选用过程。用Solidworks软件建立光源并采用第一款散热器的模型,用实测结果对用工程流体动力学(EFD)热模拟的结果进行验证。以第一款散热器的热阻和光源基板的均温为散热基准,对另两款散热器在原尺寸的基础上按逐步增加0.1倍的方式进行整体放大,在达到散热基准时对三者进行对比。结果表明,散热基准为热阻15.20 K/W、基板均温42.42℃,款式二、款式三散热器在整体放大1.38倍和1.35倍时与基准最为接近,热阻相差不超过1.5%、均温相差不超过0.1%。此时三者重量相近,款式三的占据空间最小,款式二的可操作面积最大。运用此方法可对各种结构样式的LED散热器进行对比选用。

以发光二极管为光源的光伏照明装置

照明是光伏技术的一个重要应用领域.以发光二极管(LED)为光源的光伏照明装置,具有耗电省、寿命长、免维护、易控制、无污染等优点,是一种很有前景的新型光伏照明装置,应采取措施,积极研究开发,大力开拓应用市场.

如何使LED发光角度达到最佳使用效果

第一个商用LED产生于1960年，LED是英文liqht emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好LED因其寿命长、波长可以因用途选择、制作方便、运行成本低、耗电小以及无环境污染而被广泛应用。

LED数码管的结构、特性及应用

LED数码管是目前使用相当普遍的一种显示器件,它是将若干个LED组合成数字(或符号)的形状,再封装在一起构成的。因为“8”是十进制数中笔划最多的一个数字,所以要用七只LED管排列成“8”的形状,再按要求使数码管的某些笔段(即笔划)发光,就可以显示0～9这十个数字,如图1所示。本文介绍LED数码管的结构原理及性能特点,并列举应用实例,以帮助读者更好地了解掌握LED数码管的使用方法。一、结构及性能1.主要特性(1) 工作电压1.5～5V,一般为1.5～2.5V。工作电流5～10mA。

发光二极管

发光二极管结构;长余辉发光二极管;LED管芯的基底;倒装芯片氮化物;