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阵列基板铜工艺不良研究
1
作者
吴祖谋
白金超
+6 位作者
丁向前
刘明悬
李小龙
王勋
刘海鹏
宋勇志
陈维涛
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期560-565,共6页
本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备...
本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。
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关键词
阵列工艺
铜腐蚀
铜氧化
黑孔
不良
退火
垂直黑线不良
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职称材料
题名
阵列基板铜工艺不良研究
1
作者
吴祖谋
白金超
丁向前
刘明悬
李小龙
王勋
刘海鹏
宋勇志
陈维涛
机构
北京京东方显示技术有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第4期560-565,共6页
文摘
本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。
关键词
阵列工艺
铜腐蚀
铜氧化
黑孔
不良
退火
垂直黑线不良
Keywords
array process
Cu corrosion
Cu oxidation
black hole defect
anneal
vertical line Mura
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阵列基板铜工艺不良研究
吴祖谋
白金超
丁向前
刘明悬
李小龙
王勋
刘海鹏
宋勇志
陈维涛
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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