1
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新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究 |
李萌迪
祝杰杰
侯斌
张鹏
杨凌
贾富春
常青原
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《空间电子技术》
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2023 |
0 |
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2
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带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究 |
李涛
冯保才
刘型志
王晓飞
赵羡龙
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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3
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垂直双栅MOSFET的性能设计和仿真分析 |
李青
王昊鹏
荆发标
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《电子设计工程》
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2019 |
0 |
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4
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4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应 |
刘忠永
蔡理
刘小强
刘保军
崔焕卿
杨晓阔
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《微纳电子技术》
北大核心
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2017 |
9
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5
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4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应 |
刘忠永
蔡理
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
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《空军工程大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
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2018 |
1
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6
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垂直增强型氧化镓MOSFET器件自热效应研究 |
郭亮良
栾苏珍
张弘鹏
乔润迪
余建刚
张玉明
贾仁需
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《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
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2022 |
1
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7
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埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究 |
蔡浩
张霞
王斌
谭开洲
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
0 |
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